[發明專利]發光芯片

有效

• 申請號: 201410771657.8
• 申請日: 2014-12-15
• 公開（公告）號: CN104733588B
• 公開（公告）日: 2018-09-11
• 發明（設計）人: 岡村卓
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/54;H01L33/58
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;黃綸偉

本發明提供發光芯片，其具有能夠提高光的取出效率的新的結構。本發明的發光芯片(12)具備：器件芯片(14)，其在正面(14a)具備藍寶石基板(141)和形成于藍寶石基板的正面(141a)的發光層；和透明部件(15)，其借助透過來自發光層的出射光的樹脂粘結于藍寶石基板的背面(141b)。透明部件透過來自發光層的出射光。在透明部件的與器件芯片抵接的抵接面(15a)，形成有在透明部件的側面(15c)和抵接面露出的槽(16)。槽的槽寬比器件芯片的1個邊的長度小。

技術領域

本發明涉及具備形成有發光層的器件芯片的發光芯片。

背景技術

包括LED(Light Emitting Diode，發光二極管)、LD(Laser Diode，激光二極管)等的發光器件被實用化。這些發光器件通常具備發光芯片，該發光芯片具有形成有發光層的器件芯片，所述發光層通過施加電壓來放出光。關于所述器件芯片的制造，首先在晶體生長用基板上的由格子狀的分割預定線劃分出的各區域，使外延層(結晶層)生長來作為發光層。然后，沿著分割預定線分割晶體生長用基板將其單片化，由此形成一個個發光芯片用的器件芯片。

在發光芯片中，在射出綠色或藍色的光的發光層為InGaN類的器件芯片中，對于晶體生長用基板一般使用藍寶石，在該藍寶石基板上依次使n型GaN半導體層、InGaN發光層、p型GaN半導體層外延生長。然后，在n型GaN半導體層和p型GaN半導體層分別形成外部取出用電極。

將所述器件芯片的背面側(藍寶石基板側)固定于導線架，并利用透鏡部件覆蓋器件芯片的正面側(發光層側)，由此形成發光二極管。在這樣的發光二極管中，輝度的提高是重要的課題，并且至今為止，也提出了各種用于提高光的取出效率的方法(例如，參照專利文獻1)。

專利文獻1：日本特開平4-10670號公報

然而，通過電壓的施加而在發光層產生的光主要從包含發光層的層疊體的2個主面(正面及背面)放出。例如，從層疊體的正面(透鏡部件側的主面)放出的光通過透鏡部件等被取出到發光二極管的外部。另一方面，從層疊體的背面(藍寶石基板側的主面)放出的光在藍寶石基板中傳播，其一部分在藍寶石基板與導線架的界面等處反射并返回層疊體。

例如，以切削時的加工性提高等為目的而對器件芯片使用薄的藍寶石基板時，層疊體的背面、與藍寶石基板和導線架的界面之間的距離變短。在該情況下，與藍寶石基板較厚的情況相比，在藍寶石基板和導線架的界面處反射并返回層疊體的光的比例變高。由于層疊體吸收光，所以若這樣地返回層疊體的光的比例變高，則發光二極管的光的取出效率會降低。

發明內容

本發明是鑒于上述方面而完成的，其目的在于提供能夠提高光的取出效率的發光芯片。

本發明的發光芯片的特征在于，其具備：器件芯片，其在正面具備發光層；和透明部件，其借助具有透光性的樹脂粘結于器件芯片的背面，并且透明部件透過從發光層射出的光，在透明部件的與器件芯片抵接的抵接面，形成有在透明部件的側面和抵接面露出的槽，槽的槽寬比器件芯片的長邊側的1個邊的長度小。

根據該結構，在粘結于器件芯片的背面的透明部件的與器件芯片抵接的抵接面形成槽，因此能夠使槽的內部空間的折射率比透明部件的折射率小，與向透明部件入射的光相比，能夠增大向槽入射的光發生全反射的角度。由此，能夠將透過透明部件反射并返回發光層的光的比例抑制得較低，能夠增大從器件芯片發出的光的比例，能夠提高光的取出效率。而且，能夠在向槽的入射時及出射時發生光的散射，能夠增大從透明部件的側面發出的光的比例。

并且，在本發明的發光芯片中，槽形成為抵接面的20％～50％的去除面積比例為宜。根據該去除面積比例，能夠提高發光芯片的輝度，能夠良好地維持器件芯片與透明部件間的安裝穩定性。

并且，在本發明的發光芯片中，槽呈十字形狀形成于透明部件的抵接面為宜。根據該結構，能夠更好地提高光的取出效率。