[發明專利]一種像素單元

有效

• 申請號: 201410770529.1
• 申請日: 2014-12-12
• 公開（公告）號: CN104516161B
• 公開（公告）日: 2018-01-02
• 發明（設計）人: 席克瑞;寧春麗
• 申請（專利權）人: 上海中航光電子有限公司;天馬微電子股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司11291
• 代理人: 劉松

技術領域

本發明涉及液晶顯示器技術領域，更具體的涉及一種像素單元。

背景技術

FFS(Fringe Field Switching，邊緣場開關)模式是一種能夠擴寬視角的液晶驅動模式，FFS型TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，超薄膜晶體管液晶顯示器)陣列基板中的像素電極為條形，當加電時，像素電極與公共電極之間形成平行于基板的水平電場。如圖1所示為現有技術FFS型TFT-LCD陣列基板的一種結構平面圖，陣列基板上形成有數據線11和柵線12，相鄰的柵線12和數據線11定義了像素區域，每一個像素區域形成有一個薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)、像素電極(Pixel Electrode)13和公共電極(Common Electrode)14，不加電時，像素電極13和公共電極14之間無電場，液晶分子15不發生偏轉(如圖1中液晶分子15的虛線部分所示)，當加電時，像素電極13和公共電極14之間形成水平電場，液晶分子15沿著電場的方向發生偏轉(如圖1中液晶分子15的實線部分所示)。

如圖2所示為現有技術FFS型TFT-LCD陣列基板的另一種結構平面圖，圖1與圖2所示陣列基板的區別在于：圖2中將像素電極的圖形在一個像素中呈現反向傾斜的兩部分，這種圖形的像素電極，雖然在加電后，液晶分子可以進行兩種方式的偏轉，即形成了雙疇的液晶工作模式。

雖然現有的雙疇結構在視角方面具有改善作用，但是存在一個缺陷：在像素區域的兩個疇區的交界處，如圖3A所示的附圖標記21所示的位置，液晶受兩個疇區像素電極形成的電場的影響，在垂直方向作用力大小相同方向相反，使得液晶無法轉動，因此，附圖標記21所示的位置上的液晶不能夠起到改變光線偏轉方向的作用，最終導致除了零階灰度之外的各灰階下，光源均無法通過上偏光片，也即，在附圖標記21所示的位置上會產生一條黑線。相類似的，靠近交界處的液晶受到兩個疇間的上述電極的作用力相近，液晶也會受到影響，轉動困難。如圖3B所示，兩個疇間的交界區域具有一定面積的黑區，液晶顯示器的光線穿透率下降。綜上所述，現有技術中存在疇間交界區域，合成電場導致液晶無法正常偏轉，影響液晶顯示器的光線穿透率的問題。

發明內容

本發明實施例提供一種像素單元，用于解決現有技術中疇間交界區域，合成電場導致液晶無法正常偏轉，影響液晶顯示器的光線穿透率的問題。

本發明實施例提供一種像素單元，包括：

所述像素單元包括第一電極和與所述第一電極之間形成電場的第二電極；

所述第二電極包括上疇電極、下疇電極、疇間電極，所述各上疇電極相互平行，所述各下疇電極相互平行，所述上疇電極與所述下疇電極呈“八”字形狀排布且不相交；所述上疇電極包括與所述疇間電極相鄰的第一上疇電極，所述下疇電極包括與所述疇間電極相鄰的第一下疇電極，且所述疇間電極位于所述第一上疇電極與所述第一下疇電極組成的“八”字形狀中的寬口側；

所述第一上疇電極與所述第一下疇電極位于所述“八”字形狀中的窄口側的距離介于2-10微米。

該結構通過位于“八”字形狀窄口側的疇間電極不相鄰，降低了窄口側疇間電極合成的電場強度，使置于該區域的液晶能夠按照合成電場進行正常轉動，從而提高了液晶顯示器的光線穿透率。

附圖說明

圖1為現有技術中FFS型TFT-LCD陣列基板的單疇像素結構平面圖；

圖2為現有技術中FFS型TFT-LCD陣列基板的雙疇像素結構平面圖；

圖3A為現有雙疇像素區域產生一條黑線的區域示意圖；

圖3B為現有雙疇像素區域產生一條黑線的仿真示意圖；

圖4為雙疇像素區域中合成電場影響對不同區域液晶轉動示意圖；

圖5為雙疇像素區域中兩個疇間交界區域處液晶的受力分析示意圖；

圖6為雙疇像素區域中臨近兩個疇間交界區域的液晶的受力分析示意圖；

圖7為本發明實施例中仿真實驗采用的像素結構示意圖；

圖8A為本發明實施例中第一組仿真實驗中像素單元中光線穿透示意圖；

圖8B為本發明實施例中第二組仿真實驗一中像素單元中光線穿透示意圖；

圖8C為本發明實施例中第二組仿真實驗二中像素單元中光線穿透示意圖；

圖8D為本發明實施例中第二組仿真實驗四中像素單元中光線穿透示意圖；