[發明專利]一種像素單元

有效

• 申請號: 201410770529.1
• 申請日: 2014-12-12
• 公開（公告）號: CN104516161B
• 公開（公告）日: 2018-01-02
• 發明（設計）人: 席克瑞;寧春麗
• 申請（專利權）人: 上海中航光電子有限公司;天馬微電子股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司11291
• 代理人: 劉松

1.一種像素單元，其特征在于，包括：

所述像素單元包括第一電極和與所述第一電極之間形成電場的第二電極；

所述第二電極包括上疇電極、下疇電極、疇間電極，所述各上疇電極相互平行，所述各下疇電極相互平行，所述上疇電極與所述下疇電極呈“八”字形狀排布且不相交；所述上疇電極包括與所述疇間電極相鄰的第一上疇電極，所述下疇電極包括與所述疇間電極相鄰的第一下疇電極，且所述疇間電極位于所述第一上疇電極與所述第一下疇電極組成的“八”字形狀中的寬口側；

所述第一上疇電極與所述第一下疇電極位于所述“八”字形狀中的窄口側的距離介于2-10微米。

2.如權利要求1所述像素單元，其特征在于，還包括：

所述疇間電極包括靠近“八”字形狀中窄口側的第一矩形，所述第一矩形具有靠近所述上疇電極的上邊、靠近所述下疇電極的下邊，靠近所述寬口側的第一側邊與靠近所述窄口側的第二側邊；所述上邊與所述第一上疇電極的距離與所述下邊與所述第一下疇電極的距離相等；

所述疇間電極還包括位于所述“八”字形狀中寬口側的第一梯形，所述第一梯形具有靠近所述上疇電極的第一上腰、靠近所述下疇電極的第一下腰、位于所述寬口側的第一底邊與靠近所述窄口側的第二底邊；所述第二底邊與所述第一矩形的第一側邊重合且相等；所述第一上腰與所述上疇電極平行，所述第一下腰與所述下疇電極平行，所述第一上腰與所述第一上疇電極間的距離與所述第一下腰與所述第一下疇電極間的距離相等。

3.如權利要求2所述像素單元，其特征在于，所述第一梯形的第一底邊邊長不大于12微米；所述第一梯形的第二底邊邊長不大于3微米。

4.如權利要求1所述像素單元，其特征在于，還包括：

所述疇間電極包括靠近“八”字形狀中窄口側的第一矩形，所述第一矩形具有靠近所述上疇電極的上邊、靠近所述下疇電極的下邊，靠近所述寬口側的第一側邊與靠近所述窄口側的第二側邊；所述上邊與所述第一上疇電極的距離與所述下邊與所述第一下疇電極的距離相等；

所述疇間電極還包括位于所述“八”字形狀中寬口側的第二矩形，所述第二矩形具有位于所述寬口側的第三側邊和靠近所述窄口側的第四側邊；

所述第一矩形的第一側邊與所述第二矩形的第四側邊重合且相等。

5.如權利要求2或4所述像素單元，其特征在于，所述第一矩形的上邊與所述第一上疇電極的最小距離不小于5微米；所述第一矩形的下邊與所述第一下疇電極的最小距離不小于5微米。

6.如權利要求1所述像素單元，其特征在于，還包括：

所述疇間電極的形狀為梯形，所述疇間電極具有靠近所述上疇電極的第二上腰、靠近所述下疇電極的第二下腰、位于所述寬口側的第三底邊以及靠近所述窄口側的第四底邊；所述第二上腰與所述上疇電極平行，所述第二下腰與所述下疇電極平行；

所述第一電極具有與所述疇間電極相對應的梯形缺口，所述疇間電極在所述第一電極所在平面上的投影在所述缺口內。

7.如權利要求6所述像素單元，其特征在于，所述第三底邊邊長不小于12微米，所述第四底邊邊長不小于4微米。

8.如權利要求6所述像素單元，其特征在于，所述梯形缺口具有第三上腰、第三下腰、第五底邊和第六底邊；所述疇間電極的第四底邊在所述第一電極所在平面的投影靠近所述第六底邊，且與所述第六底邊的距離不小于8微米；和/或，

所述疇間電極的第二上腰在所述第一電極所在平面的投影靠近所述第三上腰，且與所述第三上腰的距離不小于1微米；和/或

所述疇間電極的第二下腰在所述第一電極所在平面的投影靠近所述第三下腰，且與所述第三下腰的距離不小于1微米。

9.如權利要求1～8任一項所述像素單元，其特征在于，所述第一上疇電極與所述第一下疇電極位于所述“八”字形狀中的窄口側之間的距離介于5-7微米。

10.如權利要求1～8任一項所述像素單元，其特征在于，各所述上疇電極以及各所述下疇電極之間的距離相等。