[發明專利]OGS觸摸屏用ITO薄膜生產方法

在審

• 申請號: 201410769648.5
• 申請日: 2014-12-15
• 公開（公告）號: CN104928623A
• 公開（公告）日: 2015-09-23
• 發明（設計）人: 楊忙;沈效龍;張國強;黃永振
• 申請（專利權）人: 山東華芯富創電子科技有限公司
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/34;C23C14/58
• 代理公司: 濟南泉城專利商標事務所 37218
• 代理人: 紀艷艷

技術領域

???本發明涉及ITO薄膜生產方法，具體涉及一種OGS觸摸屏用ITO薄膜生產方法。

背景技術

以高分子材料表面為基底濺鍍的ITO薄膜，在ITO薄膜制備或熱處理過程中的加溫容易對高分子材料襯底造成破壞，進而破壞薄膜的性能。

退火對薄膜的微結構和化學組分具有重要的影響。退火處理可以使ITO薄膜更加穩定、降低薄膜的電阻率，提高薄膜透過率、減小薄膜內應力及增大薄膜附著力等。

ITO膜的光學性能和電學性能強烈的依賴于它的微結構，而薄膜的微結構又和制備工藝密切相關。為了避免上述問題以及優化制備工藝，本發明提出在低溫條件下制備ITO薄膜，并采用低成本的大氣環境退火處理，以達到使ITO薄膜更加穩定，降低電阻率的工藝技術。

發明內容

本發明目的是提供一種OGS觸摸屏用ITO薄膜生產方法，避免制程過程中膜結構的破壞，及不同溫度處理對導電層電性的影響，以使高分子材料表面濺鍍的導電層電性穩定。

為了實現上述目的，本發明采用技術方案如下：

一種OGS觸摸屏用ITO薄膜生產方法，包括以下步驟：

（1）低溫濺鍍：在高分子材料的基板表面上低溫濺鍍ITO薄膜層，濺鍍溫度為室溫~150℃；

（2）退火：將上述濺鍍好的基板在退火設備中進行退火，退火溫度為180℃~250℃，退火處理時間為15-50分鐘。

進一步地，退火過程包括：大氣環境下將基板以5-20℃/min從室溫升溫到180℃~250℃的高溫，在高溫下保溫15-50分鐘，以自然冷卻降溫到室溫。?

更進一步地，退火設備為IR爐或烤箱。

本發明的有益效果：

采用本發明方法，通過退火處理使ITO薄膜層進行結晶重構，使高分子材料表面濺鍍的ITO薄膜層電性穩定，降低電阻率。

具體實施方式

?下面對本發明做進一步清楚、完整地描述，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。

實施例1

一種OGS觸摸屏用ITO薄膜生產方法，包括以下步驟：

（1）低溫濺鍍：在高分子材料的基板表面上低溫濺鍍ITO薄膜層，濺鍍溫度為室溫~150℃；

（2）退火：將上述濺鍍好的基板在退火設備中進行退火，退火溫度為180℃~250℃，退火處理時間為15-50分鐘。

本實施例中，退火設備為IR爐或烤箱，退火過程包括：大氣環境下將基板以5-20℃/min從室溫升溫到180℃~200℃的高溫，在高溫下保溫35-50分鐘，以自然冷卻降溫到室溫。?

經試驗測得該OGS觸摸屏用ITO薄膜的電阻率為2.15*10-4Ω·cm,載流子濃度?（10²¹cm-3）和電子遷移率（15~45cm2V-1s-1）,表明該方法制得ITO薄膜導電性能良好。

實施例2

一種OGS觸摸屏用ITO薄膜生產方法，包括以下步驟：

（1）低溫濺鍍：在高分子材料的基板表面上低溫濺鍍ITO薄膜層，濺鍍溫度為室溫~150℃；

（2）退火：將上述濺鍍好的基板在退火設備中進行退火，退火溫度為180℃~250℃，退火處理時間為15-50分鐘。

本實施例中，退火設備為IR爐或烤箱，退火過程包括：大氣環境下將基板以5-20℃/min從室溫升溫到200℃~230℃的高溫，在高溫下保溫25-40分鐘，以自然冷卻降溫到室溫。?

實施例3

一種OGS觸摸屏用ITO薄膜生產方法，包括以下步驟：

（1）低溫濺鍍：在高分子材料的基板表面上低溫濺鍍ITO薄膜層，濺鍍溫度為室溫~150℃；

（2）退火：將上述濺鍍好的基板在退火設備中進行退火，退火溫度為180℃~250℃，退火處理時間為15-50分鐘。

本實施例中，退火設備為IR爐或烤箱，退火過程包括：大氣環境下將基板以5-20℃/min從室溫升溫到230℃~250℃的高溫，在高溫下保溫15-30分鐘，以自然冷卻降溫到室溫。?

以上僅描述了本發明的基本原理和優選實施方式，本領域人員可以根據上述描述作出許多變化和改進，這些變化和改進應該屬于本發明的保護范圍。