[發(fā)明專利]OGS觸摸屏用ITO薄膜生產(chǎn)方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410769648.5 | 申請日: | 2014-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN104928623A | 公開(公告)日: | 2015-09-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊忙;沈效龍;張國強(qiáng);黃永振 | 申請(專利權(quán))人: | 山東華芯富創(chuàng)電子科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/08 | 分類號: | C23C14/08;C23C14/34;C23C14/58 |
| 代理公司: | 濟(jì)南泉城專利商標(biāo)事務(wù)所 37218 | 代理人: | 紀(jì)艷艷 |
| 地址: | 250102 山東省濟(jì)南市*** | 國省代碼: | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | ogs 觸摸屏 ito 薄膜 生產(chǎn) 方法 | ||
1.一種OGS觸摸屏用ITO薄膜生產(chǎn)方法,其特征在于,包括以下步驟:
(1)低溫濺鍍:在高分子材料的基板表面上低溫濺鍍ITO薄膜層,濺鍍溫度為室溫~150℃;
(2)退火:將上述濺鍍好的基板在退火設(shè)備中進(jìn)行退火,退火溫度為180℃~250℃,退火處理時(shí)間為15-50分鐘。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述OGS觸摸屏用ITO薄膜生產(chǎn)方法,其特征在于:退火過程包括:大氣環(huán)境下將基板以5-20℃/min從室溫升溫到180℃~250℃的高溫,在高溫下保溫15-50分鐘,以自然冷卻降溫到室溫。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述OGS觸摸屏用ITO薄膜生產(chǎn)方法,其特征在于:退火設(shè)備為IR爐或烤箱。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





