[發(fā)明專利]倒裝焊中虛焊產(chǎn)品的返工方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410768366.3 | 申請日: | 2014-12-12 |
| 公開(公告)號: | CN104599986A | 公開(公告)日: | 2015-05-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 盧海倫;洪勝平 | 申請(專利權(quán))人: | 南通富士通微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京志霖恒遠知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 孟阿妮;郭棟梁 |
| 地址: | 226006 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 倒裝 焊中虛焊 產(chǎn)品 返工 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及回流后虛焊產(chǎn)品的返工方法,具體涉及一種倒裝中焊虛焊產(chǎn)品的返工方法。
背景技術(shù)
隨著集成電路封裝密度的提高,傳統(tǒng)引線鍵合技術(shù)已經(jīng)無法滿足要求,倒裝焊技術(shù)能夠適應(yīng)集成電路封裝密度高的要求,目前得到了廣泛的應(yīng)用。
半導體封裝倒裝焊產(chǎn)品在回流后發(fā)現(xiàn)有虛焊的情況時,常規(guī)做法是直接將有焊接不良的產(chǎn)品進行報廢,這種做法會帶來產(chǎn)品良率的損失,不利于對產(chǎn)品良率的管控。
發(fā)明內(nèi)容
在下文中給出關(guān)于本發(fā)明的簡要概述,以便提供關(guān)于本發(fā)明的某些方面的基本理解。應(yīng)當理解,這個概述并不是關(guān)于本發(fā)明的窮舉性概述。它并不是意圖確定本發(fā)明的關(guān)鍵或重要部分,也不是意圖限定本發(fā)明的范圍。其目的僅僅是以簡化的形式給出某些概念,以此作為稍后論述的更詳細描述的前序。
本發(fā)明實施例的目的是針對上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷,提供一種提高封裝合格率、降低封裝的成本及周期的倒裝焊中虛焊產(chǎn)品的返工方法。
為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采取的技術(shù)方案是:
一種倒裝焊中虛焊產(chǎn)品的返工方法,包括以下步驟:
(1)挑選出虛焊的產(chǎn)品:
將有虛焊的產(chǎn)品進行分開放置;
(2)配置助焊劑酒精溶液:
將助焊劑與酒精混合,攪拌均勻;
(3)放置助焊劑酒精溶液:
將助焊劑酒精溶液放置到虛焊的產(chǎn)品的虛焊處;
(4)進行再次焊接:
將涂抹助焊劑酒精溶液的產(chǎn)品送入回流爐進行再次回流融化焊接。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果是:
采用本發(fā)明這種針對倒裝焊產(chǎn)品回流后虛焊問題的返工方法,能夠有效的避免因虛焊問題造成的良率損失,從而達到提高封裝合格率、降低封裝的成本及周期的目的。
附圖說明
為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本發(fā)明實施例提供的倒裝焊中虛焊產(chǎn)品的返工方法的流程圖;
圖2為本發(fā)明實施例提供的虛焊的產(chǎn)品芯片和基板位置的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為本發(fā)明實施例提供的用工業(yè)酒精稀釋助焊劑的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4為本發(fā)明實施例提供的助焊劑酒精溶液加入虛焊的產(chǎn)品中的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖5為本發(fā)明實施例提供的助焊劑通過毛細效應(yīng)后均勻分布在芯片下方的示意圖;
圖6為本發(fā)明實施例提供的進行二次回流后,芯片凸點和基板焊盤焊接良好的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚,下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖,對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例,而不是全部的實施例。在本發(fā)明的一個附圖或一種實施方式中描述的元素和特征可以與一個或更多個其它附圖或?qū)嵤┓绞街惺境龅脑睾吞卣飨嘟Y(jié)合。應(yīng)當注意,為了清楚的目?的,附圖和說明中省略了與本發(fā)明無關(guān)的、本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的部件和處理的表示和描述。基于本發(fā)明中的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有付出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發(fā)明保護的范圍。
參見圖1,本發(fā)明提供一種倒裝焊中虛焊產(chǎn)品的返工方法,包括以下步驟:
S01:挑選出虛焊的產(chǎn)品:
將有虛焊的產(chǎn)品進行分開放置;
S02:配置助焊劑酒精溶液:
將助焊劑與酒精混合,攪拌均勻;本發(fā)明助焊劑選用具有高活性能力型,高耐熱、低揮發(fā)助焊劑。優(yōu)選千住助焊劑,可選型號:千住的WF6317。
S03:放置助焊劑酒精溶液:
將助焊劑酒精溶液放置到虛焊的產(chǎn)品的虛焊處;
S04:進行再次焊接:
將涂抹助焊劑酒精溶液的產(chǎn)品送入回流爐進行再次回流融化焊接;
S05:得到焊接良好的產(chǎn)品:
最終得到芯片凸點和基板焊盤焊接良好的產(chǎn)品。
本發(fā)明通過對芯片虛焊進行重新加入助焊劑,再次回流融化焊接,提高了產(chǎn)品的優(yōu)良率。
本實施例中,所述步驟(2)中,所述助焊劑與酒精的體積比為1.0-2.0:1。優(yōu)選地,助焊劑與酒精的體積比為1.5:1。采用此比例得到的助焊劑酒精溶液流動性和焊接效果最好。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





