[發明專利]一種超疏水超順磁硅樹脂復合材料涂層的制備方法在審
| 申請號: | 201410768115.5 | 申請日: | 2014-12-12 |
| 公開(公告)號: | CN104694001A | 公開(公告)日: | 2015-06-10 |
| 發明(設計)人: | 裴勇兵;韓慶雨;吳連斌;湯龍程;趙麗;陳利民;蔣劍雄 | 申請(專利權)人: | 杭州師范大學 |
| 主分類號: | C09D183/04 | 分類號: | C09D183/04;C09D183/07;C09D183/05;C09D7/12;C09D5/23 |
| 代理公司: | 杭州杭誠專利事務所有限公司 33109 | 代理人: | 王江成;朱實 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 疏水 超順磁 硅樹脂 復合材料 涂層 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及硅樹脂復合材料技術領域,具體地說涉及一種超疏水超順磁硅樹脂復合材料涂層的制備方法。
背景技術
超疏水表面是指與水的接觸角大于150°,滾動角小于10°的表面。超疏水表面在自然界中早已存在,許多植物表面就具有超疏水表面和自清潔效果,典型代表就是荷葉效應。大量的研究表明,荷葉表面具有凹凸不平的粗糙微觀結構,使其具有超疏水性能。目前,制備超疏水表面主要有兩種途徑:一種是在具有低表面能的疏水性材料表面構造粗糙結構,具有低表面能用來制備超疏水的材料包括改性硅樹脂、聚烯烴、聚碳酸酯、聚酰胺、聚丙烯腈、聚酯、不含氟的丙烯酸酯、熔融石蠟以及一些無機物;另一種是在具有一定粗糙度的表面上修飾低表面能的物質,主要使用的是含氟化合物。超疏水材料在自清潔、油水分離、防污、設備保護等領域具有重要的應用前景。
隨著我國電子技術的不斷發展,一些特種電子產品(如通訊信號站、戶外電磁裝置)不僅要求材料表面超疏水以達到抗腐防護、自清潔等目的,對其它功能特性如電磁屏蔽等性能也提出了要求。納米四氧化三鐵(Fe3O4)具有超順磁性、電磁屏蔽等性能,將納米材料可控、均勻地分散于聚合物基體中,可獲得集納米材料與聚合物材料優勢于一體的功能性復合材料。目前為止,盡管Fe3O4/聚合物復合材料已開展了一些研究,但涉及材料疏水性能方面的研究報道較少。例如,Ding等將Fe3O4粒子分散到硅樹脂中,研究Fe3O4含量對材料疏水性能的影響,發現復合材料表面粗糙度和疏水性隨著Fe3O4含量的增加而提高,當Fe3O4含量達到48wt%時材料具有超疏水性(水接觸達到156.4°),同時也具有一定的電磁屏蔽性能。但這種復合材料往往長期暴露在惡劣的環境下,Fe3O4易受環境(如酸雨)侵蝕,材料的應用與壽命收到巨大限制,而且Fe3O4粒子在硅樹脂中容易發生團聚,對復合材料力學性能等產生不良影響。
發明內容
為解決目前Fe3O4聚合物超疏水復合材料耐候性差、粒子易團聚、粘結力差等問題,本發明提供了一種超疏水超順磁硅樹脂復合材料涂層的制備方法,本發明的制備工藝簡單,復合材料使用壽命延長,使材料具有良好的力學性能,附著力達到1級,同時還具有電磁屏蔽性能。
本發明是通過以下技術方案實現的:一種超疏水超順磁硅樹脂復合材料涂層的制備方法為先在Fe3O4粒子表面包裹SiO2,再采用硅烷偶聯劑對Fe3O4粒子進行改性,然后將改性Fe3O4粒子、硅樹脂、分散劑分散成復合溶液,最后將復合溶液在基材上浸涂或旋涂干燥,制得超疏水超順磁硅樹脂復合材料。
所述的制備方法具體為以下步驟:
(1)制備改性Fe3O4粒子
a)稱取以下質量份
b)將納米Fe3O4、堿性催化劑和水加入反應釜中攪拌15~60分鐘,溫度升至60~80℃后,將正硅酸乙酯在2~4小時內加入,再將硅烷偶聯劑在2~4小時內加入,滴加完畢后保持攪拌2~6小時,再將制得的溶液在外加磁場下分離,將上層液去除,下層粒子用無水乙醇和蒸餾水交替洗滌3~5次后,干燥24~48小時,得到改性Fe3O4粒子;得到的改性Fe3O4粒子粒徑在50~150納米,具有超順磁性,飽和磁性強度為20~55emu/g。改性Fe3O4粒子靜態水接觸角在130°以上。
所述堿性催化劑選自氨水、氫氧化鈉、氫氧化鉀中的一種;
所述硅烷偶聯劑選自甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷、十三氟辛基三甲氧基硅烷、十六烷基三甲氧基硅烷、十八烷基三甲氧基硅烷、十七氟癸基三甲氧基硅烷、十七氟癸基三乙氧基硅烷、十三氟辛基三乙氧基硅烷中的一種;
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C09D 涂料組合物,例如色漆、清漆或天然漆;填充漿料;化學涂料或油墨的去除劑;油墨;改正液;木材著色劑;用于著色或印刷的漿料或固體;原料為此的應用
C09D183-00 基于由只在主鏈中形成含硅的、有或沒有硫、氮、氧或碳鍵反應得到的高分子化合物的涂料組合物;基于此種聚合物衍生物的涂料組合物
C09D183-02 .聚硅酸酯
C09D183-04 .聚硅氧烷
C09D183-10 .含有聚硅氧烷鏈區的嵌段或接枝共聚物
C09D183-14 .其中至少兩個,但不是所有的硅原子與氧以外的原子連接
C09D183-16 .其中所有的硅原子與氧以外的原子連接





