[發明專利]一種LTPS陣列基板

在審

• 申請號: 201410764302.6
• 申請日: 2014-12-11
• 公開（公告）號: CN104485333A
• 公開（公告）日: 2015-04-01
• 發明（設計）人: 王聰;杜鵬
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;G02F1/1362
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種LTPS陣列基板，其包括多個低溫多晶硅薄膜晶體管，其特征在于，所述每一低溫多晶硅薄膜晶體管包括一個基板；

形成于所述基板上的圖形化的遮光層；

形成于所述基板和所述圖形化的遮光層上的緩沖層；

形成于所述緩沖層上的圖像化的多晶硅層，其中，圖像化的多晶硅層包括正投影于遮光層的第一部分和遠離所述遮光層延伸的第二部分；

形成于所述圖形化的多晶硅層和所述緩沖層上的柵極絕緣層；

形成于所述柵極絕緣層上的第一金屬層，圖形化所述第一金屬層形成柵電極線和公共電極線，所述公共電極線、與所述公共電極線相對應的所述多晶硅層的第二部分以及夾持在形成所述公共電極線與所述第二部分之間的柵極絕緣層構成第一存儲電容；

形成于所述柵極絕緣層和柵電極線和公共電極線的絕緣層；

形成于所述絕緣層上的第二金屬層，圖案化所述第二金屬層形成漏極電極和源極電極，所述漏極電極延伸有延伸部，所述延伸部正投影于所述公共電極線，并且所述漏極電極的延伸部與所述公共電極線以及位于所述延伸部與公共電極線之間的絕緣層形成第二存儲電容；所述第二存儲電容與所述第一存儲電容并聯設置，以及

形成于所述絕緣層和圖案化后的第二金屬層上的平坦層。

2.如權利要求1所述的一種LTPS陣列基板，其特征在于，所述LTPS陣列基板還包括形成于所述平坦層上的圖形化的底層透明導電層，所述底層透明導電層與漏極電極的延伸部以及位于所述延伸部及底層透明導電層的平坦層形成第三存儲電容，所述第三存儲電容與所述第二存儲電容及所述第一存儲電容并聯設置。

3.如權利要求2所述的一種LTPS陣列基板，其特征在于，所述LTPS陣列基板還包括形成于圖案化的底層透明導電層上的保護層；以及形成于所述保護層上的頂層透明導電層，所述頂層透明導電層與所述底層透明導電層以及位于所述所述頂層透明導電層與所述底層透明導電之間的保護層形成第四存儲電容，所述第四存儲電容與所述第三存儲電容、第二存儲電容及第一存儲電容并聯設置。

4.如權利要求1所述的一種LTPS陣列基板，其特征在于，所述第二金屬層形成于所述絕緣層上且通過過孔與所述多晶硅層電連接。

5.如權利要求1所述的一種LTPS陣列基板，其特征在于，所述頂層透明導電層形成于所述保護層上且通過過孔與所述漏極電極電連接。

6.如權利要求1所述的一種LTPS陣列基板，其特征在于，位于所述漏極電極的延伸部上的平坦層的厚度小于所述平坦層其它位置的厚度。

7.如權利要求1所述的一種LTPS陣列基板，其特征在于，所述柵極絕緣層采用氧化硅、氮化硅與氮氧化硅中的一種制成。

8.如權利要求1所述的一種LTPS陣列基板，其特征在于，所述第一金屬層與第二金屬層的材料為鉬鋁合金、鉻金屬等導電材料。

9.如權利要求1所述的一種LTPS陣列基板，其特征在于，所述平坦層材料為有機膜。

10.如權利要求1所述的一種LTPS陣列基板，其特征在于，所述平坦層采用光罩工藝形成。