[發(fā)明專利]一種LTPS陣列基板

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410764302.6
• 申請日: 2014-12-11
• 公開（公告）號: CN104485333A
• 公開（公告）日: 2015-04-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王聰;杜鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;G02F1/1362
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示屏技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種LTPS陣列基板。

背景技術(shù)

低溫多晶硅(low?temperature?poly-silicon，簡稱為LTPS)薄膜晶體管液晶顯示器有別于傳統(tǒng)的非晶硅薄膜晶體管液晶顯示器，其電子遷移率可以達到200cm2/V-sec以上，可有效減小薄膜晶體管器件的面積，從而達到提高開口率，并且在增進顯示器亮度的同時還可以降低整體的功耗。另外，較高的電子遷移率可以將部分驅(qū)動電路集成在玻璃基板上，減少了驅(qū)動IC，還可以大幅提升液晶顯示面板的可靠度，從而使得面板的制造成本大幅降低。因此，LTPS薄膜晶體管液晶顯示器逐步成為研究的熱點。LTPS薄膜晶體管液晶顯示器主要包括陣列基板和與其相對設(shè)置的彩膜基板。

而現(xiàn)有技術(shù)中的LTPS的陣列基板，通過由絕緣層隔開的底部公共電極與像素電極組成的電容作為與其對應的像素的存儲電容，但是這樣的結(jié)構(gòu)存儲電容較小，無法滿足陣列基板電量飽和后的電容需求。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種LTPS陣列基板，在不降低開口率的情況下，增加存儲電容。

本發(fā)明提供一種LTPS陣列基板，其包括多個低溫多晶硅薄膜晶體管，所述每一低溫多晶硅薄膜晶體管包括一個基板；

形成于所述基板上的圖形化的遮光層；

形成于所述基板和所述圖形化的遮光層上的緩沖層；

形成于所述緩沖層上的圖像化的多晶硅層，其中，圖像化的多晶硅層包括正投影于遮光層的第一部分和遠離所述遮光層延伸的第二部分；

形成于所述圖形化的多晶硅層和所述緩沖層上的柵極絕緣層；

形成于所述柵極絕緣層上的第一金屬層，圖形化所述第一金屬層形成柵電極線和公共電極線，所述公共電極線、與所述公共電極線相對應的所述多晶硅層的第二部分以及夾持在形成所述公共電極線與所述第二部分之間的柵極絕緣層構(gòu)成第一存儲電容；

形成于所述柵極絕緣層和柵電極線和公共電極線的絕緣層；

形成于所述絕緣層上的第二金屬層，圖案化所述第二金屬層形成漏極電極和源極電極，所述漏極電極延伸有延伸部，所述延伸部正投影于所述公共電極線，并且所述漏極電極的延伸部與所述公共電極線以及位于所述延伸部與公共電極線之間的絕緣層形成第二存儲電容；所述第二存儲電容與所述第一存儲電容并聯(lián)設(shè)置，以及

形成于所述絕緣層和圖案化后的第二金屬層上的平坦層。

其中，所述LTPS陣列基板還包括形成于所述平坦層上的圖形化的底層透明導電層，所述底層透明導電層與漏極電極的延伸部以及位于所述延伸部及底層透明導電層的平坦層形成第三存儲電容，所述第三存儲電容與所述第二存儲電容及所述第一存儲電容并聯(lián)設(shè)置。

其中，所述LTPS陣列基板還包括形成于圖案化的底層透明導電層上的保護層；以及形成于所述保護層上的頂層透明導電層，所述頂層透明導電層與所述底層透明導電層以及位于所述所述頂層透明導電層與所述底層透明導電之間的保護層形成第四存儲電容，所述第四存儲電容與所述第三存儲電容、第二存儲電容及第一存儲電容并聯(lián)設(shè)置。

其中，所述第二金屬層形成于所述絕緣層上且通過過孔與所述多晶硅層電連接。

其中，所述頂層透明導電層形成于所述保護層上且通過過孔與所述漏極電極電連接。

其中，位于所述漏極電極的延伸部上的平坦層的厚度小于所述平坦層其它位置的厚度。

其中，所述柵極絕緣層采用氧化硅、氮化硅與氮氧化硅中的一種制成。

其中，所述第一金屬層與第二金屬層的材料為鉬鋁合金、鉻金屬等導電材料。

其中，所述平坦層材料為有機膜。

其中，所述平坦層采用光罩工藝形成。

本發(fā)明的一種LTPS陣列基板通過圖形化的多晶硅層上增加第二部分，并在第二部分上方形成漏極電極的延伸部，進而形成四個并聯(lián)的存儲電容，在不降低開口率的情況下，增加陣列基板的存儲電容。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明一較佳實施方式的LTPS陣列基板剖面示意圖。

圖2為本發(fā)明另一較佳實施方式的LTPS陣列基板剖面示意圖，該LTPS陣列基板與圖1所述不同之處在于部分所述平坦層的厚度。

具體實施方式