[發明專利]小間距PoP封裝單體在審
| 申請號: | 201410759285.7 | 申請日: | 2014-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN104538380A | 公開(公告)日: | 2015-04-22 |
| 發明(設計)人: | 陳南南;王宏杰 | 申請(專利權)人: | 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/538 | 分類號: | H01L23/538 |
| 代理公司: | 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 殷紅梅;劉海 |
| 地址: | 214135 江蘇省無錫市新區*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 間距 pop 封裝 單體 | ||
技術領域
本發明涉及一種小間距PoP封裝單體,屬于半導體封裝技術領域。
背景技術
作為目前封裝高密集成的主要方式,PoP(package?on?package,層疊封裝)得到越來越多的重視。芯片的堆疊是提高電子封裝高密化的主要途徑之間,PoP設計已經在業界得到比較廣泛的開發和應用。
現有技術中,一般采用錫球互連的PoP解決方案,這種結構在坍塌、位移(shift)等方面存在一定難度和不足。基板多層PoP芯片堆疊時,需將錫球與芯片一起塑封,不利于返修。傳統的錫球X軸方向尺寸與Y軸尺寸相當,限制了間距時一步減小。
發明內容
本發明的目的是克服現有技術中存在的不足,提供一種小間距PoP封裝單體,解決PoP封裝坍塌、偏移的問題,并進一步減小間距,提高I/O數量。
按照本發明提供的技術方案,所述小間距PoP封裝單體,包括芯片、塑封材料和焊球;其特征是:所述焊球包括銅核球,在銅核球表面鍍覆鍍層釬料。
進一步的,所述焊球為橢球形、矩形柱形或圓柱形,銅核球為橢球形、矩形柱形或圓柱形。
進一步的,所述封裝單體包括塑封材料,塑封材料中塑封芯片,芯片的正面與塑封材料的正面平齊,芯片的高度小于塑封材料的高度;在所述塑封材料的正面設置RDL層,RDL層中設置再布線金屬走線層,再布線金屬走線層上設置UBM層,再布線金屬走線層連接UBM層和芯片上的電極,在UBM層上設置焊球。
進一步的,所述封裝單體包括塑封材料,塑封材料中塑封芯片和金屬層,芯片的正面與塑封材料的正面平齊,芯片的高度小于塑封材料的高度;所述金屬層的一表面與塑封材料的正面平齊,金屬層的厚度小于塑封材料的高度;在所述塑封材料的正面設置RDL層,RDL層中設置再布線金屬走線層,再布線金屬走線層上設置UBM層,再布線金屬走線層連接UBM層和芯片上的電極,在UBM層上設置焊球。
進一步的,所述封裝單體包括塑封材料,塑封材料中塑封芯片、金屬層和金屬柱,芯片的正面與塑封材料的正面平齊,芯片的高度小于塑封材料的高度;所述金屬層的一表面與塑封材料的正面平齊,金屬層的另一表面與金屬柱的一端連接,金屬柱的另一端與塑封材料的背面平齊;在所述塑封材料的正面設置RDL層,RDL層中設置再布線金屬走線層,再布線金屬走線層上設置UBM層,再布線金屬走線層連接UBM層和芯片上的電極,在UBM層上設置焊球。
進一步的,所述封裝單體包括塑封材料,塑封材料中塑封芯片,芯片的背面與塑封材料的背面平齊,芯片的高度小于塑封材料的高度;在所述塑封材料的正面設置RDL層,RDL層中設置再布線金屬走線層,再布線金屬走線層上設置UBM層,再布線金屬走線層連接UBM層和芯片上的電極,在UBM層上設置焊球。
進一步的,所述封裝單體包括塑封材料,塑封材料中塑封芯片和金屬層,芯片的背面與塑封材料的背面平齊,芯片的高度小于塑封材料的高度;所述金屬層的一表面與塑封材料的背面平齊,金屬層的厚度小于塑封材料的高度;在所述塑封材料的正面設置RDL層,RDL層中設置再布線金屬走線層,再布線金屬走線層上設置UBM層,再布線金屬走線層連接UBM層和芯片上的電極,在UBM層上設置焊球。
進一步的,所述封裝單體包括塑封材料,塑封材料中塑封芯片、金屬層和金屬柱,芯片的背面與塑封材料的背面平齊,芯片的高度小于塑封材料的高度;所述金屬層的一表面與塑封材料的背面平齊,金屬層的另一表面與金屬柱的一端連接,金屬柱的另一端與塑封材料的正面平齊;在所述塑封材料的正面設置RDL層,RDL層中設置再布線金屬走線層,再布線金屬走線層上設置UBM層,再布線金屬走線層連接UBM層和芯片上的電極,在UBM層上設置焊球。
進一步的,所述封裝單體為基板PoP封裝結構,包括基板,在基板上采用塑封材料塑封芯片,在基板的正面設置焊盤,在焊盤上設置焊球;所述塑封材料全部覆蓋基板的背面。
進一步的,所述封裝單體為基板PoP封裝結構,包括基板,在基板上采用塑封材料塑封芯片,在基板的正面設置焊盤,在焊盤上設置焊球;所述塑封材料部分覆蓋基板的背面。
本發明所述的小間距PoP封裝單體及PoP封裝結構,將非中心對稱型球或柱應用于扇出型晶圓級封裝或PoP封裝,可以解決PoP封裝坍塌、偏移的問題,并進一步減小間距,提高I/O數量。
附圖說明
圖1為本發明所述小間距PoP封裝單體第一種實施例的示意圖。
圖2為本發明所述小間距PoP封裝單體第二種實施例的示意圖。
圖3為本發明所述小間距PoP封裝單體第三種實施例的示意圖。
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