[發明專利]低壓氣相淀積Si3N4薄膜的制備方法在審
| 申請號： | 201410756317.8 | 申請日： | 2014-12-10 |
| 公開（公告）號： | CN104404476A | 公開（公告）日： | 2015-03-11 |
| 發明（設計）人： | 林洪春;孫大成;周博;姜碩;于東陽 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第四十七研究所 |
| 主分類號： | C23C16/34 | 分類號： | C23C16/34 |
| 代理公司： | 北京商專永信知識產權代理事務所(普通合伙) 11400 | 代理人： | 方挺;葛強 |
| 地址： | 110032 遼*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 壓氣 相淀積 si sub 薄膜 制備 方法 | ||
1.低壓氣相淀積Si3N4薄膜的制備方法，包括如下步驟：
a.向反應室內預通入一定量的NH3；
b.向反應室內通入流量比為3:1的NH3和SiCl2H2，開始淀積反應；
c.通過壓力調節讓反應室內的壓力基本保持在200毫托。
2.根據權利要求1所述的低壓氣相淀積Si3N4薄膜的制備方法，其中，在步驟c中，通過設置在反應室內的壓力傳感器和排氣裝置來進行壓力調節。
3.根據權利要求2所述的低壓氣相淀積Si3N4薄膜的制備方法，其中，所述排氣裝置包括與反應室連接的機械泵和/或設置在反應室的排氣管路上的蝶閥控制器。
4.根據權利要求1所述的低壓氣相淀積Si3N4薄膜的制備方法，其中，反應室大小為1500～2000立方厘米。
5.根據權利要求4所述的低壓氣相淀積Si3N4薄膜的制備方法，其中，在步驟a中，預通入的NH3的量為至少30立方厘米。
6.根據權利要求5所述的低壓氣相淀積Si3N4薄膜的制備方法，其中，在步驟a中，所述預通入的NH3的單位流量為每分鐘60立方厘米，通入時間為30秒，在步驟b中NH3和SiCl2H2的單位流量分別為每分鐘60立方厘米和每分鐘20立方厘米，淀積過程中NH3和SiCl2H2的單位流量恒定。
7.根據權利要求6所述的低壓氣相淀積Si3N4薄膜的制備方法，其中，淀積反應的溫度為810攝氏度。
8.根據權利要求7所述的低壓氣相淀積Si3N4薄膜的制備方法，其中，淀積反應的時間為40分鐘。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
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