[發(fā)明專利]預施加的底部填充

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201410755931.2
• 申請日: 2014-09-03
• 公開（公告）號: CN104617055A
• 公開（公告）日: 2015-05-13
• 發(fā)明（設計）人: M·K·加拉赫;E·安祖爾斯;D·弗萊明;A·V·多波;C·Q·特魯翁;A·舒貝;J·M·卡爾維特
• 申請（專利權）人: 羅門哈斯電子材料有限公司
• 主分類號: H01L23/29
• 分類號: H01L23/29;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 江磊

1.底部填充結構，依次包含：頂膜層；聚合物層，和底膜層，其中所述聚合物層包含第一聚合物區(qū)域和第二聚合物區(qū)域，其中第二聚合物區(qū)域包含無機填料。

2.如權利要求1所述的底部填充結構，其中第二聚合物區(qū)域進一步包含包含可固化聚合物、交聯(lián)劑和固化劑的層。

3.如權利要求1所述的底部填充結構，其中在第二聚合物區(qū)域中存在的無機填料的含量≥40wt％，基于第二聚合物區(qū)域的總重量計。

4.如權利要求1所述的底部填充結構，其中粘合劑層被置于頂膜層和聚合物層之間。

5.如權利要求1所述的底部填充結構，其中頂膜層由彈性體組成。

6.如權利要求1所述的底部填充結構，其中頂膜層為選自聚烯烴、聚酯、聚氨酯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、乙烯-醋酸乙烯酯和聚(甲基)丙烯酸酯的聚合物。

7.如權利要求1所述的底部填充結構，其中底膜層選自聚酯、聚酰胺、聚酰亞胺、聚烯烴、聚丙烯酸酯、聚氨酯和金屬。

8.如權利要求1所述的底部填充結構，其中第一聚合物區(qū)域包含可固化聚合物、交聯(lián)劑和固化劑。

9.如權利要求8所述的底部填充結構，其中第一聚合物區(qū)域進一步包含無機填料，其含量小于第二聚合物區(qū)域中無機填料的含量。

10.如權利要求8所述的底部填充結構，其中第一聚合物區(qū)域不含無機填料。

11.一種方法，其包括：

提供權利要求1的底部填充結構；

從所述底部填充結構移除底膜；

將底部填充結構層壓至在其上具有互連結構的部件的表面，從而使得底部填充結構被迫使位于互連結構之間，其中第二聚合物區(qū)域的高度小于或等于互連結構的高度；和

移除頂膜層。

12.如權利要求11所述的方法，進一步包括：令互連結構的頂部與位于基片表面上的導電性接合墊相對齊以形成單元；并使互連結構電連接至導電性接合墊。

13.一種方法，該方法包括：提供如上所述的底部填充結構；從所述底部填充結構移除底膜；將底部填充結構層壓至具有導電性接合墊的基片的表面，從而使得第一聚合物區(qū)域直接位于基片的表面上；和移除頂膜層。

14.權利要求13的方法，該方法進一步包括：令導電性接合墊與部件表面上的互連結構相對齊以形成單元；并加熱該單元以熔融該互連結構，從而將互連結構和導電性接合墊電連接。