[發明專利]銀納米顆粒修飾的聚丙烯腈納米結構陣列柔性襯底的制備方法

有效

• 申請號: 201410752482.6
• 申請日: 2014-12-09
• 公開（公告）號: CN104498881A
• 公開（公告）日: 2015-04-08
• 發明（設計）人: 李中波;孟國文;胡小曄;汪志偉
• 申請（專利權）人: 中國科學院合肥物質科學研究院
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/20;G01N21/65
• 代理公司: 北京凱特來知識產權代理有限公司11260
• 代理人: 鄭立明;付久春

1.一種銀納米顆粒修飾的聚丙烯腈納米結構陣列柔性襯底的制備方法，其特征在于，包括：

制備薄膜：在硅襯底上制備有序排列的納米凹坑模板，將聚丙烯腈溶液旋涂在所述納米凹坑模板上，之后進行烘干，冷卻后獲得上層的聚丙烯腈膜，即為聚丙烯腈納米凸半球有序陣列薄膜；

制備襯底：采用離子濺射方法，在上述制得薄膜的聚丙烯腈納米凸半球有序陣列表面組裝銀納米顆粒，即得到銀納米顆粒修飾的聚丙烯腈納米結構陣列柔性襯底。

2.根據權利要求1所述的銀納米顆粒修飾的聚丙烯腈納米結構陣列柔性襯底的制備方法，其特征在于，所述制備薄膜步驟中，通過旋涂方式在硅襯底上制備有序排列的納米凹坑模板。

3.根據權利要求1所述的銀納米顆粒修飾的聚丙烯腈納米結構陣列柔性襯底的制備方法，其特征在于，所述制備薄膜中的聚丙烯腈溶液為質量濃度為8％的聚丙烯腈二甲基甲酰胺溶液。

4.根據權利要求1至3任一項所述的銀納米顆粒修飾的聚丙烯腈納米結構陣列柔性襯底的制備方法，其特征在于，所述制備薄膜中將聚丙烯腈溶液旋涂在所述納米凹坑模板上是采用旋涂儀在100rpm的轉速下旋轉涂覆30秒。

5.根據權利要求1至3任一項所述的銀納米顆粒修飾的聚丙烯腈納米結構陣列柔性襯底的制備方法，其特征在于，所述制備薄膜步驟中，烘干溫度為60℃，烘干時間為30分鐘。

6.根據權利要求1至3任一項所述的銀納米顆粒修飾的聚丙烯腈納米結構陣列柔性襯底的制備方法，其特征在于，所述制得聚丙烯腈納米凸半球有序陣列薄膜上的納米凸半球按均一四方陣列排列，每個納米凸半球的半徑為250nm～290nm，相鄰兩個納米凸半球中心之間的間距為450nm～470nm。

7.根據權利要求1至3任一項所述的銀納米顆粒修飾的聚丙烯腈納米結構陣列柔性襯底的制備方法，其特征在于，所述制備襯底步驟中，離子濺射的濺射電流為40mA，濺射時間大于2分鐘，小于20分鐘。

8.根據權利要求6所述的銀納米顆粒修飾的聚丙烯腈納米結構陣列柔性襯底的制備方法，其特征在于，所述濺射時間為12分鐘。