[發明專利]用于激光微調的相位校正器、集成電路及其方法

在審

• 申請號: 201410751979.6
• 申請日: 2014-12-10
• 公開（公告）號: CN104701293A
• 公開（公告）日: 2015-06-10
• 發明（設計）人: B·P·斯坦森;P·M·拉姆伯金;C·J·布拉內;J·貝蒂
• 申請（專利權）人: 亞德諾半導體集團
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L23/64;H01C17/242
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 秦晨

技術領域

本公開內容涉及激光微調集成電路內的組件，并且涉及具有形成在其中以便于激光微調組件的結構的集成電路。

背景技術

已知在集成電路制造處理中的變化可引起組件不具有所希望的絕對值，并且也可引起在同一集成電路上的組件之間調整而偏離期望的比率。同樣已知在制造后但在封裝前通過諸如激光微調的微調技術調整組件的值。

集成電路內的不同材料層之間的邊界可產生微調的集成電路內的微調的反映。這些反映會干擾(建設性和破壞性地)微調激光器的光。這樣就產生了被微調的電路的某些部分可以位于在破壞性干擾的區域，并因此不通過預計量加熱的可能性。同樣地，如果它們位于建設性干擾的區域，相鄰正被激光微調組件的電路區域可被超過預期地加熱。這些干擾效應可影響執行激光微調所需的時間、微調操作的結果和在集成電路內對相鄰結構的潛在損害。

發明內容

根據本公開的第一方面，提供了用于激光微調組件的相位校正器，所述相位校正器，包括：位于所述組件的第一側的第一校正結構，第一校正結構包括離組件第一和第二距離的第一和第二校正區域；和位于所述組件的第二側的第二校正結構，所述第二校正結構包括離組件第三和第四距離的第三和第四校正區域。

有利地，相位校正器被形成為集成電路的一部分，其中同樣形成將被激光微調的組件。第一校正結構可以位于組件的下方。因此，當執行形成集成電路的各種處理步驟時，所述第一校正結構可在襯底上形成，并且在形成可激光微調的組件之前。所述第一校正結構可包括由變化厚度形成、或沉積、圖案化并隨后進行蝕刻的材料的至少一個附加層，以便留下其中的附加材料可以發現穿插其中沒有的區域的區域，或者留下不同厚度的區域。這可以在基材之上或進行微調的組件之下以第一和第二高度交替的圖案創建一系列反射邊界。在第一和第二校正區域形成的反射器之間的高度差可以被選擇以對應于大致四分之一的激光波長，該激光用于在激光微調期間照亮組件。可以考慮激光通過其以到達第一和第二校正區域的介質的折射率而有利地選擇距離。

第二校正結構可以被認為可在激光微調組件上方形成。組件上的覆蓋層可以形成具有可變厚度的區域，或材料的附加層可以沉積在要微調的組件的上方形成的一個或多個層之上的預先確定圖案中。

第一、第二、第三和第四校正區域可以形成比使用的激光束的(或預期使用)的直徑相對較小的尺度以微調組件，以及校正區域可經布置，使得在第一位置，第一和第三校正區域對齊，在第二位置，第一和第四校正區域對齊，在第三位置，第二和第三校正區域對齊，并且在第四位置，第二和第四校正區域對齊。“對齊”在此上下文中意味著光從激光束通過或照射在校正區域的這些不同組合。因此，基本上一半波長的相位變化在相互比較的第一和第二校正區域之間引入，以及同樣地，大致一半波長的相位變化在相互比較的第三和第四校正區域之間引入。這些變化(尺度比激光束的直徑小)用于提供具有在其中不同的干涉圖案的四個不同區域，使得當以與激光束的直徑可比較的尺度看，激光束作為整體的功率吸收在微調的組件變為均勻。

根據本公開的另一個方面，提供包括相位校正器的集成電路。

根據本公開的又一個方面，提供對于集成電路提供微調校正的方法，集成電路包括在襯底上形成的至少一個激光微調元件，該方法包括：形成具有光學不連續性的第一可變深度結構，經配置以引入光的大致半個波長的路徑長度改變，所述光從微調方向到達第一深度可變結構；在第一可變深度結構上形成至少一個激光微調元件；并在至少一個激光微調組件上形成第二可變深度結構，所述第二可變深度結構包括從元件反射光的大致半個波長的路徑長度改變。

附圖說明

現在將僅通過非限制性示例的方式描述根據本公開教導的相位校正的實施例，參考附圖，其中：

圖1是示出不具有相位校正器的集成電路的典型結構的示意圖；

圖2示意性地示出具有集成相位校正器的已知集成電路構造；

圖3是說明光吸收百分比與類似于圖1中所示的結構的超氧化物厚度的曲線圖，但其中可微調部件的厚度足夠大，以為發生在其上表面和下表面的反射引入相移；

圖4是吸收百分比與圖1的情況的子氧化物厚度的曲線圖，但其中電阻器的厚度足以引起大量的相移，作為發生在其上和下表面的反射的結果；

圖5是繪制出圖3和4的數據的曲線圖，以顯示百分比吸收作為超氧化物厚度(微調組件的上方)和子氧化物厚度(微調組件的下方)的函數；

圖6是包括構成本公開內容實施例的相位校正器的集成電路的第一實施例的橫截面圖；