[發明專利]用于激光微調的相位校正器、集成電路及其方法

在審

• 申請號: 201410751979.6
• 申請日: 2014-12-10
• 公開（公告）號: CN104701293A
• 公開（公告）日: 2015-06-10
• 發明（設計）人: B·P·斯坦森;P·M·拉姆伯金;C·J·布拉內;J·貝蒂
• 申請（專利權）人: 亞德諾半導體集團
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L23/64;H01C17/242
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 秦晨

1.一種用于激光微調組件的相位校正器，所述相位校正器包括：

位于該組件的第一側的第一校正結構，所述第一校正結構包括離組件第一和第二距離的第一和第二校正區域；和

位于該組件的第二側的第二校正結構，所述第二校正結構包括離組件第三和第四距離的第三和第四校正區域。

2.如權利要求1所述的相位校正器，其中，所述第一和第二距離之間的差是用于微調組件的激光波長的大致四分之一或波長的四分之一的奇數倍。

3.如權利要求1所述的相位校正器，其中，所述第三和第四距離之間的差是用于微調組件的激光波長的大致四分之一或波長的四分之一的奇數倍。

4.如權利要求1所述的相位校正器，其中，所述第一校正結構包括第一和第二校正區域的第一重復圖案。

5.如權利要求4所述的相位校正器，其中，所述第一重復圖案在第一周期沿第一方向重復。

6.如權利要求4所述的相位校正器，其中，所述第二校正結構包括第三和第四校正區域的第二重復圖案。

7.如權利要求6所述的相位校正器，其中，所述第二重復圖案在第二周期沿第一方向重復。

8.如權利要求1所述的相位校正器，其中，第一、第二、第三和第四校正區域被定位成使得

在第一位置，第一和第三校正區域對準；

在第二位置，第一和第四校正區域對準；

在第三位置，第二和第三校正區域對準；和

在第四位置，第二和第四校正區域對準。

9.如權利要求1所述的相位校正器，其中，所述相位校正器被提供為集成電路的一部分。

10.如權利要求9所述的相位校正器，其中，所述第一相位校正結構被形成為組件下可變厚度的第一層，以及所述第二相位校正結構被提供為組件上可變厚度的第二層。

11.如權利要求10所述的相位校正器，其中，第一和第二層的任一個或兩者是不連續的。

12.一種集成電路，根據權利要求9的方法，其中，所述組件是激光微調電阻器或電容器。

13.一種如權利要求1所述的集成電路，其中，當可微調組件由氮化物分離于第一校正結構時，當可微調組件由二氧化硅或0.13實質微米分離(或奇數倍數)分離于第一校正結構時，第一和第二距離之間的差基本上在0.17或0.18微米(或奇數倍數)。

14.一種如權利要求1所述的集成電路，其中，當可微調組件由氮化物分離于第一校正結構時，當可微調組件由二氧化硅或0.13實質微米分離(或奇數倍數)分離于第一校正結構時，第三和第四距離之間的差基本上在0.17或0.18微米(或奇數倍數)。

15.一種用于集成電路提供微調校正的方法，該集成電路包括形成在襯底上的至少一層可微調組件，該方法包括：

形成具有光學不連續性的第一可變深度結構，經配置以引入光的大致半個波長的路徑長度改變，所述光從微調方向到達第一深度可變結構；

在第一可變深度結構上形成至少一個激光微調元件；以及

在至少一個激光微調組件上形成第二可變深度結構，所述第二可變深度結構包括從組件反射光的大致半個波長的路徑長度改變。

16.如權利要求15所述的方法，其中，所述第一可變深度結構通過在襯底上淀積氧化物或其它材料的圖案形成。

17.如權利要求16所述的方法，進一步包括：在形成第一可變深度結構的材料上沉積一層不同的材料，平面化不同材料的層，然后在區域上形成激光微調組件，使得組件在不同深度的區域上延伸。