[發(fā)明專利]用于形成半導體器件的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410749757.0
• 申請日: 2014-12-10
• 公開（公告）號: CN104701179B
• 公開（公告）日: 2019-06-04
• 發(fā)明（設計）人: F.希爾勒;A.毛德;A.邁澤;H-J.舒爾策;H.韋伯;M.聰?shù)聽?/a>
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/331;H01L21/316
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 蔣駿;徐紅燕

用于形成半導體器件的方法，包括通過在半導體襯底和電解液內(nèi)的外部電極之間生成吸引電場以吸引電解液的氧化離子從而引起半導體襯底的表面區(qū)的氧化，來執(zhí)行半導體襯底的表面區(qū)的陽極氧化以在半導體襯底的表面處形成氧化層。此外，該方法包括在半導體襯底在電解液內(nèi)的同時，減小氧化層內(nèi)的剩余氧化離子的數(shù)量。

技術領域

實施例涉及半導體器件的制造并且特別涉及用于形成半導體器件的方法。

背景技術

針對半導體器件的制造，使用各種各樣的材料和工藝。通常，半導體器件的導電部分必須與半導體器件的其它導電部分電絕緣。半導體器件的最大可允許電壓和可達到的壽命被半導體器件的電絕緣部分的質(zhì)量和定尺寸強有力地影響。期望的是增大半導體器件的壽命和/或最大可允許電壓。

發(fā)明內(nèi)容

一些實施例涉及一種用于形成半導體器件的方法。該方法包括通過在半導體襯底和在電解液內(nèi)的外部電極之間生成吸引電場以吸引電解液的氧化離子從而引起半導體襯底的表面區(qū)的氧化，來執(zhí)行半導體襯底的表面區(qū)的陽極氧化以在半導體襯底的表面處形成氧化層。此外，該方法包括在半導體襯底在電解液內(nèi)的同時，減小氧化層內(nèi)的剩余氧化離子的數(shù)量。

另外的實施例涉及一種用于形成半導體器件的方法。該方法包括通過在半導體襯底和在電解液內(nèi)的外部電極之間生成吸引電場以吸引電解液的氧化離子從而引起半導體襯底的表面區(qū)的氧化，來執(zhí)行半導體襯底的表面區(qū)的陽極氧化以在半導體襯底的表面處形成氧化層。此外，該方法包括獨立于吸引電場來刺激陽極氧化。

一些實施例涉及一種用于形成半導體器件的方法。該方法包括在半導體襯底內(nèi)形成至少一個pn結(jié)。此外，該方法包括通過在半導體襯底和在電解液內(nèi)的外部電極之間生成吸引電場以吸引電解液的氧化離子從而引起半導體襯底的表面區(qū)的氧化，來執(zhí)行半導體襯底的表面區(qū)的陽極氧化以在半導體襯底的表面處形成氧化層，同時由于吸引電場，在pn結(jié)處出現(xiàn)高電壓差。附加地，該方法包括在pn結(jié)的p區(qū)或n區(qū)內(nèi)注入摻雜劑，將pn結(jié)的閉塞電壓降低到在陽極氧化期間pn結(jié)處出現(xiàn)的高電壓差之下。

附圖說明

將在下面僅通過示例的方式，并且參考附圖來描述裝置和/或方法的一些實施例，在附圖中：

圖1示出用于形成半導體器件的方法的流程圖；

圖2示出用于形成半導體器件的另一方法的流程圖；

圖3示出用于形成半導體器件的另一方法的流程圖；以及

圖4示出陽極氧化的示意圖。

具體實施方式

現(xiàn)在將更完全地參考其中圖示了一些示例實施例的附圖來描述各個示例實施例。在圖中，為了清楚的目的，可夸大線、層和/或區(qū)的厚度。

相應地，盡管示例實施例能夠具有各種修改和替換形式，但在圖中通過示例的方式示出其實施例，并且在本文將詳細描述其實施例。然而，應當理解的是，不存在意圖來將示例實施例限制到所公開的特別的形式，而是相反，示例實施例將覆蓋落入本公開的范圍內(nèi)的所有修改、等同形式和替換形式。遍及圖的描述，同樣的數(shù)字指代同樣或類似的元件。

將理解的是，當元件被稱為“連接”或“耦合”到另一元件時，其可以直接連接或耦合到其它元件，或可存在中間的元件。相反，當元件被稱為“直接連接”或“直接耦合”到另一元件時，不存在中間的元件。應當以同樣的方式解釋用于描述元件之間的關系的其它詞語（例如“之間”對比“直接之間”，“鄰近”對比“直接鄰近”等）。