[發明專利]用于形成半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201410749757.0
• 申請日: 2014-12-10
• 公開（公告）號: CN104701179B
• 公開（公告）日: 2019-06-04
• 發明（設計）人: F.希爾勒;A.毛德;A.邁澤;H-J.舒爾策;H.韋伯;M.聰德爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/331;H01L21/316
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 蔣駿;徐紅燕

1.一種用于形成半導體器件的方法，所述方法包括：

通過在半導體襯底和電解液內的外部電極之間生成吸引電場以吸引所述電解液的氧化離子從而引起半導體襯底的表面區的氧化，來執行半導體襯底的表面區的陽極氧化以在所述半導體襯底的表面處形成氧化層；

在所述半導體襯底在電解液內的同時，減小所述氧化層內的剩余氧化離子的數量；以及

將用于執行所述陽極氧化的電解液交換成包括較少氧化離子或不包括氧化離子的電解液，以降低在被氧化的表面區內的剩余氧化離子的數量。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括在所述半導體襯底和在被交換的電解液內的外部電極之間生成吸引電場，以通過在所述氧化層內的剩余氧化離子來加速對所述表面區的進一步氧化。

3.根據權利要求1所述的方法，其中減小所述氧化層內的剩余氧化離子的數量包括在所述半導體襯底和所述電解液內的外部電極之間生成排斥電場。

4.根據權利要求3所述的方法，其中相對于所述吸引電場來反向定向所述排斥電場。

5.根據權利要求1所述的方法，還包括照射所述半導體襯底的所述表面的至少一部分以刺激所述陽極氧化，或包括將磁場施加到所述半導體襯底的所述表面以刺激所述陽極氧化。

6.一種用于形成半導體器件的方法，所述方法包括：

通過在半導體襯底和電解液內的外部電極之間生成吸引電場以吸引所述電解液的氧化離子從而引起所述半導體襯底的表面區的氧化，來執行半導體襯底的表面區的陽極氧化以在所述半導體襯底的表面處形成氧化層；

在所述半導體襯底在電解液內的同時，減小所述氧化層內的剩余氧化離子的數量；以及

獨立于所述吸引電場來刺激所述陽極氧化，其中刺激所述陽極氧化包括：照射所述半導體襯底的所述表面的至少一個局部區域是由激光照射的，同時與所述半導體襯底的所述表面的所述至少一個局部區域相比，通過所述激光顯著更少地照射所述半導體襯底的所述表面的至少一個其它區域。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，刺激所述陽極氧化包括照射所述半導體襯底的所述表面的至少一部分。

8.根據權利要求7所述的方法，其中通過光來照射所述半導體襯底的所述表面的至少一部分，所述光至少部分包括刺激由所述氧化離子進行的所述半導體器件的半導體材料的氧化的頻率。

9.根據權利要求7所述的方法，其中照射所述半導體襯底的整個表面或所述半導體襯底的所述表面的至少一個局部區域。

10.根據權利要求6所述的方法，還包括在所述半導體襯底的所述表面中的、將被保護以防對所述陽極氧化的所述刺激的區域處，沉積光吸收材料或光反射材料。

11.根據權利要求6所述的方法，還包括在所述陽極氧化之前，執行對所述半導體襯底的所述表面區的至少一部分的被掩模的損壞注入。

12.根據權利要求6所述的方法，其中刺激所述陽極氧化包括施加磁場到所述半導體襯底的所述表面。

13.根據權利要求6所述的方法，其中刺激所述陽極氧化包括增大所述表面區的溫度。