[發明專利]小面積電子擦寫式可復寫只讀存儲器陣列的操作方法

有效

• 申請號: 201410748915.0
• 申請日: 2014-12-09
• 公開（公告）號: CN105741873B
• 公開（公告）日: 2019-08-30
• 發明（設計）人: 林信章;黃文謙;范雅婷;葉仰森;吳政穎
• 申請（專利權）人: 億而得微電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/14
• 分類號: G11C16/14
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨

1.一種小面積電子擦寫式可復寫只讀存儲器陣列的操作方法，該小面積電子擦寫式可復寫只讀存儲器陣列包含：多條平行的、區分為多組的位元線，該些位元線包含一第一組位元線與一第二組位元線；多條平行的字線，與該些位元線互相垂直，并包含一第一字線；多條平行的共源線，與該些字線互相平行，并包含一第一共源線；及多個子存儲陣列，每一該子存儲陣列連接兩組該位元線、一該字線與一該共源線，每一該子存儲陣列包含：一第一存儲單元，連接該第一組位元線、該第一共源線與該第一字線；以及一第二存儲單元，連接該第二組位元線、該第一共源線與該第一字線，該第一存儲單元、第二存儲單元互相對稱配置，并位于該第一共源線的同一側；一第三存儲單元，連接該第一組位元線、該第一共源線與該第一字線，并以該第一共源線為軸與該第一存儲單元對稱配置；及一第四存儲單元，連接該第二組位元線、該第一共源線與該第一字線，并以該第一共源線為軸與該第二存儲單元對稱配置，又該第三存儲單元、第四存儲單元互相對稱配置，且與該第一存儲單元、第二存儲單元位于該第一共源線的相異兩側，其中，該第一存儲單元、第二存儲單元、第三存儲單元、第四存儲單元皆包含位于P型基板或P型井區中的N型場效晶體管，且該第一存儲單元、第二存儲單元、第三存儲單元、第四存儲單元皆作為一操作存儲單元，則在選取所有該操作存儲單元進行操作時，該操作方法的特征在于：

于所有該操作存儲單元連接的該P型基板或該P型井區施加一基底電壓V_sub，且于所有該操作存儲單元連接的該位元線、該字線、該共源線分別施加一位元電壓V_b、一字電壓V_w、一共源電壓V_s，并滿足下列條件：

寫入時，滿足V_sub接地；

V_s＝V_b＝0；及

V_w為高壓；及

擦寫時，滿足V_sub接地；

V_s、V_b為高壓；及

V_w浮接。

2.如權利要求1所述的小面積電子擦寫式可復寫只讀存儲器陣列的操作方法，其中每一該子存儲陣列位于相鄰的兩組該位元線之間。

3.如權利要求1所述的小面積電子擦寫式可復寫只讀存儲器陣列的操作方法，其中該第一存儲單元、第二存儲單元、第三存儲單元、第四存儲單元皆連接該第一字線，以共享同一接點。

4.如權利要求1所述的小面積電子擦寫式可復寫只讀存儲器陣列的操作方法，其中該第一組位元線包含一該位元線，其連接該第一存儲單元、第三存儲單元，且該第二組位元線亦包含一該位元線，其連接該第二存儲單元、第四存儲單元。

5.如權利要求1所述的小面積電子擦寫式可復寫只讀存儲器陣列的操作方法，其中該第一組位元線包含兩條該位元線，其分別連接該第一存儲單元、第三存儲單元，且該第二組位元線亦包含兩條該位元線，其分別連接該第二存儲單元、第四存儲單元。

6.如權利要求4或5所述的小面積電子擦寫式可復寫只讀存儲器陣列的操作方法，其中相鄰兩個該子存儲陣列中，該兩個第三存儲單元彼此相鄰且連接同一該位元線，以共享同一接點，該兩個第四存儲單元彼此相鄰且連接同一該位元線，以共享同一接點。

7.如權利要求1所述的小面積電子擦寫式可復寫只讀存儲器陣列的操作方法，其中該第一存儲單元中的該N型場效晶體管具有一漏極、一源極及一導電柵極，且該漏極連接該第一組位元線，該源極連接該第一共源線，又該第一字線的偏壓經由與該N型場效晶體管的該導電柵極相同的多晶硅形成的一電容耦合至該N型場效晶體管，該N型場效晶體管接收該第一組位元線與該第一共源線的偏壓，對該導電柵極進行寫入數據或將該導電柵極的數據進行擦寫。

8.如權利要求1所述的小面積電子擦寫式可復寫只讀存儲器陣列的操作方法，其中該第二存儲單元中的該N型場效晶體管具有一漏極、一源極及一導電柵極，且該漏極連接該第二組位元線，該源極連接該第一共源線，又該第一字線的偏壓經由與該N型場效晶體管的該導電柵極相同的多晶硅形成的一電容耦合至該N型場效晶體管，該N型場效晶體管接收該第二組位元線與該第一共源線的偏壓，對該導電柵極進行寫入數據或將該導電柵極的數據進行擦寫。