[發(fā)明專利]電子部件安裝裝置及具備電子部件安裝裝置的半導(dǎo)體裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410747912.5 | 申請(qǐng)日: | 2014-12-09 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104703406A | 公開(kāi)(公告)日: | 2015-06-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 小原太一;米山玲;大月高實(shí);舌間英樹(shù) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三菱電機(jī)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H05K3/38 | 分類號(hào): | H05K3/38 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電子 部件 安裝 裝置 具備 半導(dǎo)體 | ||
1.一種電子部件安裝裝置,其具有:
絕緣基板,其形成有金屬圖案;以及
MELF型電子部件,
所述MELF型電子部件與第1容納部或第2容納部嵌合,其中,該第1容納部由所述金屬圖案和從所述金屬圖案的缺損部露出的所述絕緣基板構(gòu)成,該第2容納部由在通過(guò)所述金屬圖案的缺損部分離開(kāi)的所述金屬圖案的彼此相對(duì)的側(cè)部的上部所形成的凹陷構(gòu)成,
該電子部件安裝裝置還具有導(dǎo)電性部件,該導(dǎo)電性部件形成于所述MELF型電子部件和所述金屬圖案之間,
所述導(dǎo)電性部件不形成于所述MELF型電子部件和所述絕緣基板之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件安裝裝置,其中,
所述第1容納部由在俯視觀察時(shí)被十字形地切開(kāi)而分離成4個(gè)的所述金屬圖案的彼此相對(duì)的側(cè)部、和從所述金屬圖案的所述缺損部露出的所述絕緣基板形成,
所述導(dǎo)電性部件在所述MELF型電子部件和所述絕緣基板接觸的狀態(tài)下,將所述MELF型電子部件與所述金屬圖案的所述側(cè)部接合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件安裝裝置,其中,
所述導(dǎo)電性部件在所述MELF型電子部件和所述絕緣基板之間設(shè)置有空隙的狀態(tài)下,將所述MELF型電子部件與所述金屬圖案接合。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子部件安裝裝置,其中,
所述第1容納部由在俯視觀察時(shí)被十字形地切開(kāi)而分離成2個(gè)的所述金屬圖案的彼此相對(duì)的側(cè)部、和從所述金屬圖案的所述缺損部露出的所述絕緣基板形成,
所述導(dǎo)電性部件將所述MELF型電子部件與所述金屬圖案的所述側(cè)部及其上部接合。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子部件安裝裝置,其中,
所述第1容納部由在俯視觀察時(shí)被十字形地切開(kāi)而分離成4個(gè)的所述金屬圖案的彼此相對(duì)的側(cè)部、和從所述金屬圖案的所述缺損部露出的所述絕緣基板形成,
所述導(dǎo)電性部件將所述MELF型電子部件與所述金屬圖案的所述側(cè)部及其上部接合。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的電子部件安裝裝置,其中,
所述導(dǎo)電性部件將所述MELF型電子部件與所述金屬圖案的所述第2容納部的所述凹陷的內(nèi)部接合。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的電子部件安裝裝置,其中,
在位于多個(gè)所述導(dǎo)電性部件之間的所述絕緣基板的正面上,形成有切口部。
8.一種半導(dǎo)體裝置,其具有:
電子部件安裝裝置;以及
電力半導(dǎo)體元件,
所述電子部件安裝裝置具有:
絕緣基板,其形成有金屬圖案;以及
MELF型電子部件,
所述MELF型電子部件與第1容納部或第2容納部嵌合,其中,該第1容納部由所述金屬圖案和從所述金屬圖案的缺損部露出的所述絕緣基板構(gòu)成,該第2容納部由在通過(guò)所述金屬圖案的缺損部分離開(kāi)的所述金屬圖案的彼此相對(duì)的側(cè)部的上部所形成的凹陷構(gòu)成,
所述電子部件安裝裝置還具有導(dǎo)電性部件,該導(dǎo)電性部件形成于所述MELF型電子部件和所述金屬圖案之間,
所述導(dǎo)電性部件不形成于所述MELF型電子部件和所述絕緣基板之間,
所述電力半導(dǎo)體元件安裝在所述絕緣基板上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置,其中,
所述電力半導(dǎo)體元件的材質(zhì)含有寬帶隙半導(dǎo)體。
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