[發明專利]一種半導體器件及其封裝方法

有效

• 申請號: 201410745939.0
• 申請日: 2014-12-08
• 公開（公告）號: CN104409372B
• 公開（公告）日: 2018-09-21
• 發明（設計）人: 江偉;徐振杰;黃源煒
• 申請（專利權）人: 杰群電子科技（東莞）有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/488;H01L23/498;H01L23/495
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 路凱;胡彬

本發明公開了一種半導體器件及其封裝方法，該封裝方法包括：提供導線架，所述導線架包括芯片座、芯片管腳、第一管腳和第二管腳，所述芯片管腳與所述芯片座連接，所述第一管腳和所述第二管腳與所述芯片座斷開；在所述芯片座之上焊接芯片，所述芯片的漏極與所述芯片座連接；焊接第一鋁箔，所述第一鋁箔連接所述芯片的源極和所述第一管腳；焊接導線，所述導線連接所述芯片的柵極和所述第二管腳。本發明所述的半導體器件的封裝方法通過焊接連接芯片的源極和第一管腳的第一鋁箔，在有限的焊接區域內增加了第一鋁箔與半導體器件的接觸面積，有效地降低了半導體器件的電流密度，進而能夠延長半導體器件的壽命，并提高半導體器件的可靠性。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種半導體器件及其封裝方法。

背景技術

隨著半導體技術的不斷進步，要求半導體器件的尺寸越來越小，但是處理速度和功率要求越來越高。但是，現有半導體器件的小尺寸、高功率引起的高電流密度，即半導體器件的源極和漏極上的電流密度較高，成為阻礙半導體發展的主要問題。較高的電流密度大大減小了半導體器件的壽命，并降低了半導體器件的可靠性。

發明內容

本發明是為了解決現有技術中的上述不足而完成的，本發明的目的在于提出一種半導體器件及其封裝方法，該半導體器件的封裝方法能夠減小封裝的半導體器件的電流密度。

為達此目的，本發明采用以下技術方案：

第一方面，本發明公開了一種半導體器件的封裝方法，包括：

提供導線架，所述導線架包括芯片座、芯片管腳、第一管腳和第二管腳，所述芯片管腳與所述芯片座連接，所述第一管腳和所述第二管腳與所述芯片座斷開；

在所述芯片座之上焊接芯片，所述芯片的漏極與所述芯片座連接；

焊接第一鋁箔，所述第一鋁箔連接所述芯片的源極和所述第一管腳；

焊接導線，所述導線連接所述芯片的柵極和所述第二管腳。

進一步地，所述焊接第一鋁箔之后，所述焊接導線之前還包括：

焊接第二鋁箔，所述第二鋁箔連接所述芯片的源極和所述第一管腳之上的第一鋁箔。

進一步地，所述在所述芯片座之上焊接芯片包括：

在所述芯片座之上制備導電結合材；

采用回流焊技術在所述導電結合材上焊接芯片。

進一步地，所述在所述芯片座之上焊接芯片之后，所述焊接第一鋁箔之前還包括：

對焊接芯片之后得到的半導體器件進行清洗。

進一步地，所述提供導線架具體包括：

提供引線框架，所述引線框架包括單排連接的多個導線架，

所述焊接導線之后還包括：

對焊接導線之后得到的半導體器件進行注塑封裝和分離。

第二方面，本發明公開了一種半導體器件，包括：

導線架，所述導線架包括芯片座、芯片管腳、第一管腳和第二管腳，所述芯片管腳與所述芯片座連接，所述第一管腳和所述第二管腳與所述芯片座斷開；

導電結合材，所述導電結合材位于所述芯片座之上；

芯片，所述芯片位于所述導電結合材之上，所述芯片的漏極與所述芯片座連接；

第一鋁箔，所述第一鋁箔連接所述芯片的源極和所述第一管腳；

導線，所述導線連接所述芯片的柵極和所述第二管腳。

進一步地，還包括：