[發明專利]LED芯片及其制備方法

在審

• 申請號: 201410738682.6
• 申請日: 2014-12-08
• 公開（公告）號: CN105742453A
• 公開（公告）日: 2016-07-06
• 發明（設計）人: 張杰;彭遙
• 申請（專利權）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: H01L33/42
• 分類號: H01L33/42;H01L33/38;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種LED芯片，其特征在于，包括：

襯底；

在所述襯底之上依次包括緩沖層、N型半導體層、發光層、P型半導體層和透明導電層，其中，所述透明導電層為階梯狀透明導電層；

P型電極，位于所述階梯狀透明導電層的最上端并與透明導電層電連接；

N型電極，位于所述階梯狀透明導電層的最下端的旁側并與所述N型半導體層電連接。

2.如權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述透明導電層包括多個臺階，所述多個臺階的邊緣為圓弧形。

3.如權利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述多個臺階呈軸對稱，對稱軸為P型電極和N型電極中心的連線。

4.如權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述透明導電層包括多個臺階，所述臺階的高度為8-25μm，所述臺階的寬度為3-10μm。

5.如權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，還包括：

鈍化層，所述鈍化層覆蓋在透明導電層和N型電極層的裸露區域。

6.一種LED芯片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在襯底上依次外延生長緩沖層、N型半導體層、發光層和P型半導體層以獲得外延片；

在所述外延片上制取PN結臺階；

在制取所述PN結臺階之后的外延片上制備透明導電層，所述透明導電層為階梯狀透明導電層；

在所述階梯狀透明導電層的最上端形成P電極；

在PN結臺階上形成N電極。

7.如權利要求6所述的LED芯片的制備方法，其特征在于，所述透明導電層包括多個臺階，所述多個臺階的邊緣為圓弧型。

8.如權利要求7所述的LED芯片的制備方法，其特征在于，所述多個臺階呈軸對稱，對稱軸為P型電極和N型電極中心的連線。

9.如權利要求6所述的LED芯片的制備方法，其特征在于，所述透明導電層包括多個臺階，所述臺階的高度為8-25μm，所述臺階的寬度為3-10μm。

10.如權利要求6所述的LED芯片的制備方法，其特征在于，還包括：

在透明導電層和N型電極層的裸露區域形成鈍化層。