[發明專利]光電子部件和用于制造光電子部件的方法有效
| 申請號: | 201410738195.X | 申請日: | 2014-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN104701344B | 公開(公告)日: | 2018-05-08 |
| 發明(設計)人: | L.迪特馬爾;D.梅因霍爾德 | 申請(專利權)人: | 英飛凌科技德累斯頓有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L23/48;H01L27/15;H01L33/62;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;徐紅燕 |
| 地址: | 德國德*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光電子 部件 用于 制造 方法 | ||
1.一種光電子部件,包括:
電子電路結構,其包括電子電路和在所述電子電路之上設置的金屬化結構,所述金屬化結構包括電連接到所述電子電路的一個或者多個接觸焊盤;
在所述金屬化結構之上設置的光電子結構,所述光電子結構包括與所述一個或者多個接觸焊盤直接接觸的鏡面底部電極以及布置在所述鏡面底部電極之上的光電子層堆疊,所述光電子層堆疊包括透明頂部電極和布置在所述鏡面底部電極與所述透明頂部電極之間的電致發光層,其中所述鏡面底部電極包括無電電鍍導電材料,
其中所述一個或多個接觸焊盤包括與所述鏡面底部電極直接接觸的第一接觸焊盤以及與布置在所述光電子結構外部的接合焊盤接觸的第二接觸焊盤。
2.根據權利要求1所述的光電子部件,
其中所述電子電路包括互補金屬氧化物半導體電路。
3.根據權利要求1所述的光電子部件,
其中所述電子電路的至少部分被配置為用于所述光電子結構的驅動電路。
4.根據權利要求1所述的光電子部件,
其中所述光電子結構被配置為選自光電子設備的組的光電子設備,所述組由以下各項構成:
發光設備;
光伏電池;以及
光電子傳感器。
5.根據權利要求1所述的光電子部件,
其中所述光電子結構包括至少一個發光二極管。
6.根據權利要求5所述的光電子部件,
其中所述至少一個發光二極管包括至少一個有機發光二極管。
7.根據權利要求1所述的光電子部件,
其中所述金屬化結構的所述一個或者多個接觸焊盤包括銅和鋁中的至少一項。
8.根據權利要求1所述的光電子部件,
其中所述鏡面底部電極包括以下材料組中的至少一個材料,所述組由以下各項構成:銀;金;以及銅。
9.根據權利要求1所述的光電子部件,
其中所述金屬化結構包括導電地連接到外圍電子部件的至少一個第一接觸焊盤和導電地連接到所述鏡面底部電極的至少一個第二接觸焊盤。
10.根據權利要求1所述的光電子部件,
其中所述鏡面底部電極包括多個鏡面底部電極,所述多個鏡面底部電極中的每個鏡面底部電極耦合到所述金屬化結構的所述一個或者多個接觸焊盤中的對應接觸焊盤。
11.根據權利要求1所述的光電子部件,
其中所述金屬化結構的所述一個或者多個接觸焊盤被橫向地嵌入到介電材料中,其中所述一個或者多個接觸焊盤中的每個的表面的至少部分無所述介電材料。
12.根據權利要求11所述的光電子部件,
其中所述多個接觸焊盤中的所述接觸焊盤包括金屬結構和襯墊結構,所述襯墊結構至少部分地圍繞所述金屬結構以提供在所述金屬結構與所述介電材料之間的擴散屏障。
13.根據權利要求1所述的光電子部件,還包括:
在所述金屬化結構之上設置的鈍化層結構,其中所述光電子結構的所述鏡面底部電極被橫向地嵌入在所述鈍化層結構中。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





