[發(fā)明專利]發(fā)光裝置以及電子設備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410737905.7 | 申請日: | 2014-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN104795421B | 公開(公告)日: | 2019-02-26 |
| 發(fā)明(設計)人: | 腰原健;野村猛 | 申請(專利權)人: | 精工愛普生株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H05B33/04;H01L51/50;H05B33/12;H05B33/26 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227 | 代理人: | 蘇琳琳;張浩 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發(fā)光 裝置 以及 電子設備 | ||
本發(fā)明涉及發(fā)光裝置以及電子設備。本發(fā)明的發(fā)光裝置的一個方式的特征在于,具備像素電路,該像素電路具備包括第1晶體管的多個晶體管、和被第1晶體管供給電流的發(fā)光元件,多個晶體管中至少一個在俯視時與溝道區(qū)域重疊的位置處,在柵極連接有布線。
技術領域
本發(fā)明涉及發(fā)光裝置、以及電子設備。
背景技術
從以往,使用了多個有機電致發(fā)光(Electroluminescence,以下,縮寫為EL)元件被配置為矩陣狀的發(fā)光裝置(例如,專利文獻1)作為電子設備的顯示裝置。
專利文獻1中記載了作為用于驅動有機EL的電路具備多個晶體管的像素電路。
然而,在如上述那樣的發(fā)光裝置中,在同層形成晶體管的柵極與柵極布線,所以需要以在俯視時不與晶體管重疊的方式設置布線,像素電路的小型化變得困難。
對于該問題,提出了分開柵極與布線,分別設置在不同的層的結構(例如,專利文獻2)。
根據(jù)這樣的結構,由于能夠在俯視時與晶體管重疊的位置設置布線,所以與柵極層兼作布線的情況相比,能夠使像素電路小型化。
專利文獻1:日本特開2007-148216號公報
專利文獻2:日本特開2013-113868號公報
但是,在上述那樣的結構中,柵極與布線在柵極中的與溝道區(qū)域相比設置在外側的連接布線用的部分(接觸墊部)連接,所以需要使柵極形成得比溝道區(qū)域大。因此,存在像素電路的小型化有限制這樣的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一方式是鑒于上述問題點而完成的,其目的之一在于,提供能夠使像素電路更小型化的發(fā)光裝置、以及具備這樣的發(fā)光裝置的電子設備。
本發(fā)明的發(fā)光裝置的一方式的特征在于,具備像素電路,該像素電路具備包括第1晶體管的多個晶體管、和被上述第1晶體管供給電流的發(fā)光元件,上述多個晶體管中至少一個在俯視時與溝道區(qū)域重疊的位置處,在柵極連接有布線。
根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置的一方式,多個晶體管中至少一個在俯視時與溝道區(qū)域重疊的位置處,在柵極連接有布線,所以在柵極中,無需在溝道區(qū)域的外側設置連接布線用的接觸墊部。因此,能夠使柵極為與溝道區(qū)域幾乎同等的大小。由此,根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置的一方式,得到能夠使像素電路更小型化的發(fā)光裝置。
也可以構成為,上述多個晶體管包括選擇晶體管,該選擇晶體管設置于上述第1晶體管的柵極與向上述第1晶體管的柵極輸入信號的信號線之間,上述選擇晶體管在俯視時與溝道區(qū)域重疊的位置處,在柵極連接有布線。
根據(jù)該結構,能夠使選擇晶體管小型化,作為結果,能夠使像素電路小型化。
也可以構成為,上述多個晶體管包括補償晶體管,該補償晶體管設置于上述第1晶體管的柵極與上述第1晶體管的一方的電流端之間,上述補償晶體管在俯視時與溝道區(qū)域重疊的位置處,在柵極連接有布線。
根據(jù)該結構,能夠使補償晶體管小型化,作為結果,能夠使像素電路小型化。
也可以構成為,上述多個晶體管包括發(fā)光控制晶體管,該控制晶體管設置于上述第1晶體管與上述發(fā)光元件之間,上述發(fā)光控制晶體管在俯視時與溝道區(qū)域重疊的位置處,在柵極連接有布線。
根據(jù)該結構,能夠使發(fā)光控制晶體管小型化,作為結果,能夠使像素電路小型化。
也可以構成為,上述多個晶體管包括復位晶體管,該復位晶體管將規(guī)定的復位電位供給至上述發(fā)光元件,上述復位晶體管在俯視時與溝道區(qū)域重疊的位置處,在柵極連接有布線。
根據(jù)該結構,能夠使復位晶體管小型化,作為結果,能夠使像素電路小型化。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于精工愛普生株式會社,未經(jīng)精工愛普生株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410737905.7/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





