[發明專利]發光裝置以及電子設備有效
| 申請號: | 201410737905.7 | 申請日: | 2014-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN104795421B | 公開(公告)日: | 2019-02-26 |
| 發明(設計)人: | 腰原健;野村猛 | 申請(專利權)人: | 精工愛普生株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H05B33/04;H01L51/50;H05B33/12;H05B33/26 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 蘇琳琳;張浩 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 裝置 以及 電子設備 | ||
1.一種發光裝置,其特征在于,
具備像素電路,該像素電路具備包括第1晶體管的多個晶體管、和被所述第1晶體管供給電流的發光元件,該第1晶體管具備在第1方向延伸的元件部,
在所述第1晶體管的柵極設置有在俯視時與溝道區域不重疊的位置處連接有布線的第1接觸墊部,
所述多個晶體管包括晶體管群,該晶體管群包括在與所述第1方向垂直的第2方向上配置在所述第1晶體管的一方側的多個晶體管,
所述晶體管群所包括的晶體管在所述第1方向上排列設置,
所述晶體管群包括:
在俯視時與溝道區域重疊的位置處,在柵極連接有布線的晶體管;
在柵極設置有在俯視時與溝道區域不重疊的位置處連接有布線的第2接觸墊部的晶體管,
所述第1接觸墊部在所述第2方向上向所述晶體管群側突出,
所述第2接觸墊部在所述第2方向上向所述第1晶體管側突出,
所述第1接觸墊部和所述第2接觸墊部在所述第1方向上排列設置。
2.根據權利要求1所述的發光裝置,其特征在于,
所述多個晶體管包括選擇晶體管,該選擇晶體管設置于所述第1晶體管的柵極與向所述第1晶體管的柵極輸入信號的信號線之間,
所述選擇晶體管在俯視時與溝道區域重疊的位置處,在柵極連接有布線。
3.根據權利要求1或者2所述的發光裝置,其特征在于,
所述多個晶體管包括補償晶體管,該補償晶體管設置于所述第1晶體管的柵極與所述第1晶體管的一方的電流端之間,
所述補償晶體管在俯視時與溝道區域重疊的位置處,在柵極連接有布線。
4.根據權利要求1或者2所述的發光裝置,其特征在于,
所述多個晶體管包括發光控制晶體管,該發光控制晶體管設置于所述第1晶體管與所述發光元件之間,
所述發光控制晶體管在俯視時與溝道區域重疊的位置處,在柵極連接有布線。
5.根據權利要求1或者2所述的發光裝置,其特征在于,
所述多個晶體管包括復位晶體管,該復位晶體管將規定的復位電位供給至所述發光元件,
所述復位晶體管在俯視時與溝道區域重疊的位置處,在柵極連接有布線。
6.根據權利要求1或者2所述的發光裝置,其特征在于,
所述第1晶體管在俯視時與溝道區域重疊的位置處,在柵極連接有布線。
7.根據權利要求6所述的發光裝置,其特征在于,
所述像素電路具有特性補償電路。
8.根據權利要求1或者2所述的發光裝置,其特征在于,
所述布線設置于與所述多個晶體管不同的層。
9.根據權利要求8所述的發光裝置,其特征在于,
所述布線在俯視時與所述多個晶體管中至少二個重疊。
10.一種發光裝置,其特征在于,
具備像素電路,該像素電路具備包括第1晶體管的多個晶體管、和被所述第1晶體管供給電流的發光元件,該第1晶體管具備在第1方向延伸的元件部,
在所述第1晶體管的柵極設置有在俯視時與溝道區域不重疊的位置處連接有布線的第1接觸墊部,
所述多個晶體管包括晶體管群,該晶體管群包括在與所述第1方向垂直的第2方向上配置在所述第1晶體管的一方側的多個晶體管,
所述晶體管群所包括的晶體管在所述第1方向上排列設置,
所述晶體管群包括:
在俯視時與溝道區域重疊的位置處,在柵極連接有布線的第2晶體管;
在柵極設置有在俯視時與溝道區域不重疊的位置處連接有布線的第2接觸墊部的晶體管,
所述第1接觸墊部在所述第2方向上向所述晶體管群側突出,
所述第2接觸墊部在所述第2方向上向所述第1晶體管側突出,
所述第1接觸墊部和所述第2接觸墊部在所述第1方向上排列設置
所述第2晶體管設置于所述第1晶體管與所述發光元件之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





