[發明專利]清洗裝置有效
| 申請號: | 201410737754.5 | 申請日: | 2014-12-04 |
| 公開(公告)號: | CN104701218B | 公開(公告)日: | 2019-04-19 |
| 發明(設計)人: | 楊云峰;山田將二郎 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;B08B3/02 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;蔡麗娜 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 被清洗物 清洗液 清洗噴嘴 清洗裝置 卡盤 噴射 清洗構件 裙狀 水膜 水膜形成噴嘴 卡盤工作臺 霧狀飛散 噴射口 噴出 液柱 附著 清洗 包圍 | ||
本發明提供一種清洗裝置,其能夠防止呈霧狀飛散的清洗液附著于被清洗物上。該清洗裝置具有:卡盤工作臺(8),其具有保持被清洗物(11)的保持面(8a);以及清洗構件(14),其面對保持于卡盤工作臺上的被清洗物,噴射清洗液以清洗被清洗物,清洗構件具有:清洗噴嘴(20),其向保持于卡盤工作臺上的被清洗物噴射清洗液;以及水膜形成噴嘴(22),其從圍繞清洗噴嘴的噴射口的環狀的縫(22e)噴出清洗液,形成從縫連續到保持于卡盤工作臺上的被清洗物的裙狀的水膜(B),從清洗噴嘴噴射的清洗液的液柱(A1)的周圍被裙狀的水膜包圍。
技術領域
本發明涉及清洗半導體晶片等板狀物的清洗裝置。
背景技術
表面形成有IC等器件的半導體晶片等板狀物被沿著分割預定線(間隔道)切割,被分割為對應于各器件的多個芯片。切割后的板狀物會被切削屑等異物污染,因此為去除該異物而使用清洗裝置進行清洗。
清洗板狀物的清洗裝置具有:構成清洗用的空間的腔室;在腔室內吸附保持板狀物并旋轉的卡盤工作臺;以及從卡盤工作臺的上方噴射清洗液的清洗噴嘴(例如,參照專利文獻1)。通過使吸附保持了板狀物的卡盤工作臺旋轉,并從清洗噴嘴朝板狀物噴射清洗液,從而能夠去除附著于板狀物上的異物。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2011-243833號公報
發明內容
然而,由于上述清洗裝置噴射的清洗液的壓力非常高,因而由于其與板狀物的碰撞而使得清洗液呈霧狀飛散。飛散的霧狀清洗液包含著從板狀物去除的切削屑等異物。因此,若該霧狀清洗液附著于板狀物上,則好不容易清洗好的板狀物會被異物再次污染。
在腔室的下部設有用于排出腔室內的包含呈霧狀飛散的清洗液的空氣的排出口。然而,僅憑該排出口,存在無法充分防止呈霧狀飛散的清洗液附著在板狀物上的問題。
本發明就是鑒于該問題點而完成的,其目的在于,提供一種清洗裝置,其能夠防止呈霧狀飛散的清洗液附著于被清洗物上。
本發明提供一種清洗裝置,其清洗被清洗物,去除附著于被清洗物上的異物,其特征在于,具有:卡盤工作臺,其具有保持被清洗物的保持面;以及清洗構件,其面對保持于該卡盤工作臺上的被清洗物,噴射清洗液以清洗被清洗物,該清洗構件具有:清洗噴嘴,其向保持于該卡盤工作臺上的被清洗物噴射該清洗液;以及水膜形成噴嘴,其從圍繞該清洗噴嘴的噴射口的環狀的縫噴出該清洗液,形成從該縫連續到保持于該卡盤工作臺上的被清洗物的裙狀的水膜,從該清洗噴嘴噴射的該清洗液的液柱的周圍被裙狀的該水膜包圍。
本發明中優選從所述清洗噴嘴中噴射的所述清洗液在與空氣混合的狀態下被噴射。
發明效果
本發明的清洗裝置具有水膜形成噴嘴,該水膜形成噴嘴形成包圍從清洗噴嘴噴射的清洗液的周圍、從縫連續至被清洗物的清洗液的水膜,因此由于從清洗噴嘴噴射的清洗液與被清洗物的碰撞而產生的霧狀的清洗液不會飛散到由水膜形成噴嘴形成的水膜的外側區域。
如上所述,通過由水膜形成噴嘴形成的水膜包圍產生霧狀清洗液的區域,從而能夠抑制霧狀清洗液的飛散。因而,能夠防止呈霧狀飛散的清洗液附著于被清洗物上。
附圖說明
圖1是示意性表示本實施方式的清洗裝置的結構例的立體圖。
圖2是放大清洗單元的局部剖切側視圖。
圖3是示意性表示由清洗單元產生的清洗液的流動的平面圖。
標號說明
2 清洗裝置
4 基座
6 腔室
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社迪思科,未經株式會社迪思科許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410737754.5/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





