[發(fā)明專利]一種真空磁控濺射鍍膜磁懸浮傳動(dòng)裝置及應(yīng)用方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410736254.X | 申請日: | 2014-11-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104404465A | 公開(公告)日: | 2015-03-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王戀貴;董安光;譚華;秦遵紅 | 申請(專利權(quán))人: | 洛陽康耀電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/35 | 分類號(hào): | C23C14/35;C23C14/56;C23C14/08 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 471000 河南省洛*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 真空 磁控濺射 鍍膜 磁懸浮 傳動(dòng) 裝置 應(yīng)用 方法 | ||
1.一種真空磁控濺射鍍膜磁懸浮傳動(dòng)裝置,是由:車體(1)、上絕緣塊(2)、一號(hào)磁靴(3)、倒U形磁鐵護(hù)套(4)、強(qiáng)磁N極(5)、下絕緣座(6)、傳動(dòng)導(dǎo)向桿(7)、傳動(dòng)系統(tǒng)傳動(dòng)輪(8)、T形磁鐵護(hù)套(9)、強(qiáng)磁S極(10)、二號(hào)磁靴(11)、螺釘(12)構(gòu)成;其特征在于:車體(1)上方設(shè)置至少五個(gè)上絕緣塊(2),下方設(shè)置至少五個(gè)下絕緣座(6),上絕緣塊(2)的上方與倒U形磁鐵護(hù)套(4)之間設(shè)置一號(hào)磁靴(3),倒U形磁鐵護(hù)套(4)內(nèi)設(shè)置強(qiáng)磁N極(5),下絕緣座(6)下方設(shè)置傳動(dòng)導(dǎo)向桿(7),傳動(dòng)導(dǎo)向桿(7)下方與傳動(dòng)系統(tǒng)傳動(dòng)輪(8)對(duì)應(yīng)設(shè)置;倒U形磁鐵護(hù)套(4)上方設(shè)置T形磁鐵護(hù)套(9),T形磁鐵護(hù)套(9)與倒U形磁鐵護(hù)套(4)之間預(yù)留磁場作用空間,T形磁鐵護(hù)套(9)內(nèi)設(shè)置強(qiáng)磁S極(10),T形磁鐵護(hù)套(9)上方設(shè)置二號(hào)磁靴(11),T形磁鐵護(hù)套(9)通過螺釘(12)固定在二號(hào)磁靴(11)上,二號(hào)磁靴(11)設(shè)置在真空腔室頂部(13)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種真空磁控濺射鍍膜磁懸浮傳動(dòng)裝置,其特征在于:所述的上絕緣塊(2)的剖面為H形,上絕緣塊(2)的上下方分別構(gòu)成上卡槽與下卡槽,下卡槽與車體(1)上方對(duì)應(yīng)設(shè)置,上卡槽與一號(hào)磁靴(3)的下方對(duì)應(yīng)設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種真空磁控濺射鍍膜磁懸浮傳動(dòng)裝置,其特征在于:所述的T形磁鐵護(hù)套(9)內(nèi)設(shè)置磁鐵空腔,磁鐵空腔內(nèi)設(shè)置強(qiáng)磁S極(10);倒U形磁鐵護(hù)套(4)內(nèi)設(shè)置磁鐵空腔,磁鐵空腔內(nèi)設(shè)置強(qiáng)磁N極(5),倒U形磁鐵護(hù)套(4)內(nèi)的強(qiáng)磁N極(5)與一號(hào)磁靴(3)的上方對(duì)應(yīng)設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種真空磁控濺射鍍膜磁懸浮傳動(dòng)裝置,其特征在于:所述的下絕緣座(6)的上方設(shè)置上卡槽,下方設(shè)置弧形凹槽,上卡槽與車體(1)下方對(duì)應(yīng)設(shè)置,弧形凹槽與傳動(dòng)導(dǎo)向桿(7)對(duì)應(yīng)設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種真空磁控濺射鍍膜磁懸浮傳動(dòng)裝置,其特征在于:所述的T形磁鐵護(hù)套(9)與倒U形磁鐵護(hù)套(4)位于同一垂直線上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種真空磁控濺射鍍膜磁懸浮傳動(dòng)裝置,其特征在于:所述的T形磁鐵護(hù)套(9)內(nèi)的強(qiáng)磁S極(10)垂直于二號(hào)磁靴(11)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種真空磁控濺射鍍膜磁懸浮傳動(dòng)裝置,其特征在于:所述的強(qiáng)磁N極(5)采用3200-4500高斯的釤鈷磁鐵,強(qiáng)磁S極(10)采用3800-5000高斯的釤鈷磁鐵。
8.一種真空磁控濺射鍍膜磁懸浮傳動(dòng)裝置的應(yīng)用方法,其特征在于:車體(1)上下方的上絕緣塊(2)和下絕緣座(6)使車體(1)與真空室絕緣達(dá)到與陰、陽極絕緣,T形磁鐵護(hù)套(9)內(nèi)的強(qiáng)磁S極(10)與倒U形磁鐵護(hù)套(4)內(nèi)的強(qiáng)磁N極(5)產(chǎn)生相互的吸引力,使車體(1)向上處于懸浮狀態(tài),同時(shí),強(qiáng)磁S極(10)和強(qiáng)磁N極(5)的磁鐵頑校力相抵消后,使強(qiáng)磁S極(10)和強(qiáng)磁N極(5)避免吸在一起,傳動(dòng)導(dǎo)向桿(7)與傳動(dòng)系統(tǒng)傳動(dòng)輪(8)摩擦接觸,摩擦力為車體(1)的重力減去向上的吸力,車體(1)隨著傳動(dòng)系統(tǒng)傳動(dòng)輪(8)的轉(zhuǎn)動(dòng)向前平穩(wěn)運(yùn)行。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種真空磁控濺射鍍膜磁懸浮傳動(dòng)裝置的應(yīng)用方法,其特征在于:啟動(dòng)運(yùn)行ITO膜連續(xù)性真空磁控濺射鍍膜設(shè)備,將連續(xù)性真空磁控濺射鍍膜設(shè)備室內(nèi)抽真空,使本底真空度為5×10-4Pa-6.8×10-4Pa,通入濺射氣體氬氣Ar和作為補(bǔ)充成分的氧氣O2;在真空的條件下,在車體(1)的ITO薄膜安裝區(qū)裝載至少一塊矩形靶材,采用由3-10%SnO2和90%-97%In2O3組成的粉末經(jīng)熱、靜壓燒結(jié)的陶瓷靶材,控制真空室墻體溫控加熱裝置和真空室溫控門對(duì)靶材均勻加熱,調(diào)節(jié)基板襯底預(yù)熱溫度,整版均勻達(dá)到50℃-200℃,預(yù)備在清潔的玻璃基片上沉積ITO薄膜;
運(yùn)行鍍膜小車裝置,T形磁鐵護(hù)套(9)內(nèi)的強(qiáng)磁S極(10)與倒U形磁鐵護(hù)套(4)內(nèi)的強(qiáng)磁N極(5)產(chǎn)生相互吸引的磁力,使鍍膜小車裝置以0.5-1m/min的速度勻速前進(jìn),上絕緣塊(2)和下絕緣座(6)使車體(1)與真空室的正負(fù)極絕緣,保證ITO薄膜安裝區(qū)內(nèi)的ITO薄膜不受真空室的正負(fù)極的干擾,同時(shí),對(duì)玻璃基片進(jìn)行直流磁控濺射,濺射功率為4KW-5KW,濺射時(shí)工作壓強(qiáng)為0.4-0.6Pa,將通入的氬氣Ar的流量調(diào)節(jié)為120-160Sccm,氧氣O2的流量調(diào)節(jié)為3-7Sccm,并且控制真空室墻體溫控加熱裝置和真空室溫控門對(duì)于靶材均勻充分加熱1-3分鐘,調(diào)節(jié)基板襯底溫度,整版均勻達(dá)到200℃-350℃;
得到在玻璃襯底上制備的ITO薄膜,膜厚均為30nm,然后進(jìn)行鍍膜退火;制成電阻率為2×10-4Ω/cm、透過率為90%以上的ITO膜的成品,包裝入庫。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





