[發明專利]半導體結構的形成方法

有效

• 申請號: 201410736250.1
• 申請日: 2014-12-04
• 公開（公告）號: CN105719972B
• 公開（公告）日: 2019-07-02
• 發明（設計）人: 趙海
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/311
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 高靜;駱蘇華

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底；

刻蝕所述半導體襯底，形成鰭部，包括：在所述半導體襯底上形成掩模層，并以所述掩模層為掩模刻蝕所述半導體襯底，形成鰭部；

在所述鰭部上和所述鰭部之間的半導體襯底上形成介質層；

去除部分厚度的所述介質層，使所述介質層表面與所述掩模層齊平；

再對介質層進行第二刻蝕，使所述掩模層露出；所述第二刻蝕的步驟包括：

以含有氟化氫和氨氣的刻蝕氣體，在不產生等離子體條件下刻蝕所述介質層，以去除部分厚度的所述介質層；

之后，去除所述掩模層；

以含有氟化氫和氨氣的氣體作為刻蝕氣體，在不產生等離子體條件下對所述介質層進行第一刻蝕，至所述介質層的表面低于所述鰭部頂端。

2.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一刻蝕的步驟包括：控制溫度為20～60℃，氣壓為10mtorr～100mtorr，氟化氫的流量為10sccm～100sccm，氨氣的流量為10sccm～100sccm。

3.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第二刻蝕的步驟包括：控制溫度為20～60℃，氣壓為10mtorr～100mtorr；氟化氫的流量為10sccm～100sccm，氨氣的流量為10sccm～100sccm。

4.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一刻蝕和第二刻蝕均分為多個刻蝕階段進行，在相鄰兩刻蝕階段之間，所述形成方法還包括：進行清除步驟，以去除刻蝕介質層過程中形成的副產物；所述清除步驟包括：停止通入刻蝕氣體，使溫度升至100～200℃。

5.如權利要求4所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，一次所述清除步驟持續的時間為10～30秒。

6.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，對介質層進行第二刻蝕，使所述掩模層露出的步驟包括：刻蝕所述介質層，至露出全部厚度的所述掩模層。

7.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述掩模層為氮化硅層。

8.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，去除所述掩模層的步驟包括：采用以磷酸作為濕法刻蝕劑的濕法刻蝕工藝去除所述掩模層。

9.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在形成所述掩模層前，所述半導體結構的形成方法還包括：在所述半導體襯底上形成襯墊層；

所述第一刻蝕包括：對所述襯墊層進行刻蝕。

10.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成所述介質層的步驟為：采用流體化學氣相沉積工藝形成所述介質層。

11.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在形成所述鰭部后，形成所述介質層前，所述半導體結構的形成方法還包括：進行退火工藝，以修復所述半導體襯底的刻蝕表面。