[發(fā)明專利]一種基于叔胺型兩親共聚物的荷正電納濾膜及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410734310.6
• 申請(qǐng)日: 2014-12-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105642129A
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-06-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱寶庫(kù);崔月;姚之侃;杜世媛;方立峰;許云秋;朱利平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江大學(xué)
• 主分類號(hào): B01D69/10
• 分類號(hào): B01D69/10;B01D67/00;B01D71/26;B01D71/40
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務(wù)所有限公司 33100
• 代理人: 劉曉春

1.一種基于叔胺型兩親共聚物的荷正電納濾膜，其特征在于，所述的納濾膜由電中性的大孔支撐層和荷正電的致密功能層組成，所述的大孔支撐層包含膜基體材料和叔胺型兩親共聚物，所述的致密功能層包含交聯(lián)的大分子季銨鹽，所述致密功能層中的大分子季銨鹽與所述大孔支撐層中的膜基體材料形成互穿網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于叔胺型兩親共聚物的荷正電納濾膜，其特征在于，所述的叔胺型兩親共聚物是含叔胺基團(tuán)的乙烯基單體和疏水性乙烯基單體聚合得到的兩親共聚物。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于叔胺型兩親共聚物的荷正電納濾膜，其特征在于，所述的含叔胺基團(tuán)的乙烯基單體選自甲基丙烯酸二甲氨基乙酯、甲基丙烯酸二乙氨基乙酯、丙烯酸二甲氨基乙酯、丙烯酸二乙氨基乙酯、二甲氨丙基甲基丙烯酰胺、二甲氨基丙基丙烯酰胺、4-乙烯基吡啶、2-乙烯基吡啶、乙烯基咪唑中的任意一種或任意多種；疏水性乙烯基單體選自甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸甲酯、苯乙烯、氯乙烯、甲基丙烯酸三氟乙酯、甲基丙烯酸全氟代辛酯、丙烯酸三氟乙酯、丙烯酸全氟代辛酯中的任意一種或任意多種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于叔胺型兩親共聚物的荷正電納濾膜，其特征在于，所述的致密功能層中的大分子季銨鹽為所述大孔支撐層中的叔胺型兩親共聚物與交聯(lián)劑季銨化交聯(lián)的產(chǎn)物，所述的交聯(lián)劑為多鹵化物小分子、不飽和鹵化物齊聚物中的任意一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于叔胺型兩親共聚物的荷正電納濾膜，其特征在于，所述的多鹵化物小分子選自二碘乙烷、二溴乙烷、二碘丙烷、二溴丙烷、二碘丁烷、二溴丁烷、二碘戊烷、二溴戊烷、二碘己烷、二溴己烷、二氯芐、二溴芐中的任意一種或任意多種，所述的不飽和鹵化物選自氯甲基苯乙烯、溴甲基苯乙烯、碘甲基苯乙烯中的任意一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的基于叔胺型兩親共聚物的荷正電納濾膜，其特征在于，所述的膜基體材料選自聚偏氟乙烯、聚酰胺、聚乙烯、聚丙烯、聚砜、聚醚砜、聚丙烯腈、聚苯醚、聚醚醚酮。

7.一種基于叔胺型兩親共聚物的荷正電納濾膜的制備方法，其特征在于包括如下步驟：

(1)將膜基體材料和叔胺型兩親共聚物溶解在制膜溶劑中，混合均勻制成電中性制膜液，通過(guò)溶液相轉(zhuǎn)化的方法從凝固浴中固化，制備成含叔胺型兩親共聚物的活性前體膜；

(2)將步驟(1)制得的活性前體膜在交聯(lián)劑溶液中浸涂；

(3)將步驟(2)浸涂后的膜取出，熱處理，得到季銨化交聯(lián)的荷正電納濾膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基于叔胺型兩親共聚物的荷正電納濾膜的制備方法，其特征在于，步驟(3)中所述的熱處理溫度為30～80℃，所述的熱處理時(shí)間為1～48h。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基于叔胺型兩親共聚物的荷正電納濾膜的制備方法，其特征在于，步驟(2)中所述的交聯(lián)劑為多鹵化物小分子、不飽和鹵化物齊聚物中的任意一種。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基于叔胺型兩親共聚物的荷正電納濾膜制備方法，其特征在于，步驟(1)中所述的叔胺型兩親共聚物是含叔胺基團(tuán)的乙烯基單體和疏水性乙烯基單體聚合得到的兩親共聚物。