[發明專利]真空泵

在審

• 申請號: 201410733436.1
• 申請日: 2014-12-05
• 公開（公告）號: CN104948475A
• 公開（公告）日: 2015-09-30
• 發明（設計）人: 筒井慎吾
• 申請（專利權）人: 株式會社島津制作所
• 主分類號: F04D19/04
• 分類號: F04D19/04;F04D29/58;F04D29/52
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

技術領域

本發明是有關于一種真空泵，其包括在內外周上具有雙重排氣通路的螺紋槽排氣部。

背景技術

以往，如半導體制造工序中的干式刻蝕(dry?etching)或化學氣相沉積(chemical?vapor?deposition，CVD)等制造程序(process)之類，在高真空的處理室(process?chamber)內進行處理的工序中，例如使用如渦輪分子泵(turbo-molecular?pump)之類的真空泵，作為排出處理室內的氣體的元件。

在這種制造程序中，是借由將大量的氣體供給至處理室內來使制造程序速度提高。為了提高大流量的氣體的排氣性能，眾所周知的是在轉子(rotor)的外側及內側配置螺紋定子的構造。

作為現有的渦輪分子泵的一例，有具備下述構造的渦輪分子泵。

轉子包含轉子軸及轉子筒部，在基座上設置有形成有插通轉子軸的開口的中央筒部。在轉子筒部的外側配置有固定于基座上的外側螺紋定子，在轉子筒部的內側配置有內側螺紋定子。在轉子筒部上，形成有將外側螺紋定子側與內側螺紋定子側加以連通的氣體通路連通用的貫通孔。轉子是借由馬達來驅動，所述馬達包括設置于轉子軸上的馬達轉子及設置于中央筒部的馬達定子。

[現有技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]國際公開WO2012/032863號

發明內容

[發明所要解決的問題]

在專利文獻1中雖然未進行圖示，但是通常，在基座上設置有用于使馬達定子冷卻的冷卻套管。在所述構造中，內側螺紋定子會與馬達定子一起冷卻，從而反應生成物有可能堆積于內側螺紋定子上。如果反應生成物堆積，那么在使泵停止時，借由驅動時的離心力而增大的轉子筒部的直徑縮小，從而固著于在內側螺紋定子上堆積的反應生成物上，因此對重啟造成妨礙。

而且，在間斷排氣時或真空裝置剛啟動后的大量排氣時，馬達定子的溫度上升，因此對設置于基座下部的冷卻套管進行驅動而使馬達定子冷卻。這時，反應生成物急劇增加，在運行時，反應生成物在轉子筒部與內側螺紋定子的間隙內大量堆積，因此泵有可能停止。

[解決問題的技術手段]

(1)本發明適用于如下的真空泵，即，包括包含轉子圓筒部及定子的螺紋槽排氣部，從排氣端口(exhaust?port)排出自吸氣口吸入的氣體，并且借由具備以下的構成來解決所述問題。

即，本發明的真空泵包括：基座，構成泵容器；轉子，包括所述轉子圓筒部；內側螺紋定子，在所述內側螺紋定子與所述轉子圓筒部的內周面之間形成所述螺紋槽排氣部的內側氣體排氣通路；外側定子，在所述外側定子與所述轉子圓筒部的外周面之間形成所述螺紋槽排氣部的外側氣體排氣通路，并且與所述內側定子熱耦合；連通用開口部，設置于所述轉子，將所述外側氣體排氣通路與所述內側氣體排氣通路在上游側連通；排氣口，使通過所述外側氣體排氣通路及所述內側氣體排氣通路而合流的氣體從螺紋槽排氣部向所述排氣端口排出；基座冷卻裝置，使所述基座冷卻。

(2)在本發明的真空泵中，所述基座包括中央筒部及外筒部，優選的是內側定子經由隔熱材料而保持于所述中央筒部，所述外側定子經由隔熱材料而保持于所述外筒部。或者，優選的是所述內側定子經由隔熱材料而保持于所述中央筒部，所述外側定子不經由隔熱材料而保持于所述外筒部。

(3)在這些真空泵中，所述內側定子與所述外側定子是直徑互不相同的筒狀構件，所述筒狀構件在氣體排氣通路下游側進行熱連接，優選的是，在所述熱連接部上形成所述螺紋槽排氣部的所述排氣口。

(4)在這些真空泵中，所述基座包括中央筒部及外筒部，在所述中央筒部設置有對所述轉子進行旋轉驅動的馬達的馬達定子，優選的是，所述基座冷卻裝置包含使所述中央筒部冷卻的下部基座冷卻裝置。或者，優選的是，本發明的真空泵包括與所述螺紋槽排氣部不同的渦輪葉片排氣部，所述基座冷卻裝置還包含使所述渦輪排氣部冷卻的上部基座冷卻裝置。

(5)在這些真空泵中，優選的是更包括定子升溫裝置，所述定子升溫裝置包括用于對所述外側定子進行升溫的定子升溫用加熱器、以及對所述外側定子的溫度進行檢測的定子升溫用溫度傳感器，根據所述定子升溫用溫度傳感器的檢測結果進行所述定子升溫用加熱器的輸出調整而對所述外側定子以及所述內側定子進行溫度調整。

(6)定子升溫裝置優選的是更包括經由密封構件安裝于所述基座上的導熱構件，所述定子升溫用加熱器以及所述定子升溫用溫度傳感器設置于所述導熱構件上。