[發明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201410730185.1
• 申請日: 2014-12-04
• 公開（公告）號: CN104392991B
• 公開（公告）日: 2018-09-04
• 發明（設計）人: 袁廣才
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/77
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;陳源

本發明提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，所述陣列基板的制備方法包括：在襯底基板的顯示區域形成柵極和柵絕緣層，通過一次構圖工藝形成有源層、源極和漏極，所述源極和漏極設置在所述有源層的上方。本發明提供的陣列基板及其制備方法、顯示裝置中，通過一次構圖工藝形成有源層、源極和漏極，所述源極和漏極設置在所述有源層的上方，以在不影響薄膜晶體管品質的前提下降低掩模板的使用次數，與現有技術相比進一步減少了構圖工藝次數、簡化了制作工藝，提高了生產效率、縮短了制作時間、降低了生產成本。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。

背景技術

氧化物薄膜晶體管(Oxide TFT)具有超薄、重量輕、低耗電等優勢，不僅可以用于液晶顯示面板的制造，而且為制作更艷麗的色彩和更清晰的影像的新一代有機發光顯示面板OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機發光二極管)走上實用階段提供可能。

圖1為現有技術中薄膜晶體管的結構示意圖，圖2為圖1所示薄膜晶體管的制備方法的流程圖。如圖1和圖2所示，所述制備方法包括：步驟2001、在襯底基板上形成柵極101和公共電極線102，步驟2002、在所述柵極101上形成柵絕緣層103和有源層104，步驟2003、在所述有源層104上形成刻蝕阻擋層105，步驟2004、在所述刻蝕阻擋層105上形成源極106和漏極107，步驟2005、在所述源極106和漏極107上形成鈍化層108、第一過孔202和第二過孔203，步驟2006、在所述鈍化層108上形成接觸電極109和像素電極201，所述接觸電極109通過所述第一過孔202與所述源極106電連接，所述像素電極201通過所述第二過孔203與所述漏極107電連接。因此，現有技術中的氧化物薄膜晶體管的制作過程需要6次構圖工藝，由于每次構圖工藝均需要把掩模板圖形轉移到薄膜圖形上，且每一層圖形都需要精確的覆蓋在另一層薄膜圖形上，從而導致氧化物薄膜晶體管的生產效率低，生產成本高。

發明內容

為解決上述問題，本發明提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，用于解決現有技術中氧化物薄膜晶體管生產效率低，生產成本高的問題。

為此，本發明提供一種陣列基板的制備方法，包括：在襯底基板的顯示區域形成柵極；形成柵絕緣層；通過一次構圖工藝形成包括有源層、源極和漏極的圖形，所述源極和漏極設置在所述有源層的上方。

可選的，所述通過一次構圖工藝形成包括有源層、源極和漏極的圖形的步驟包括：形成有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜；通過光刻工藝在所述顯示區域形成刻蝕阻擋層；形成源漏金屬薄膜；通過光刻工藝在所述顯示區域形成有源層、源極和漏極。

可選的，所述在襯底基板的顯示區域形成柵極的同時，在所述襯底基板的連接區域形成第一柵極金屬；所述通過光刻工藝在所述顯示區域形成刻蝕阻擋層的同時，在所述連接區域形成過孔，所述過孔貫穿所述柵絕緣層和有源層薄膜；所述通過光刻工藝在所述顯示區域形成有源層、源極和漏極的同時，在所述連接區域形成第一源漏極金屬，所述第一源漏極金屬通過所述過孔與所述第一柵極金屬電連接。

可選的，所述通過光刻工藝在所述顯示區域形成刻蝕阻擋層，以及在所述連接區域形成過孔的步驟包括：在所述刻蝕阻擋層薄膜上涂敷光刻膠，采用半色調或灰色調掩膜板對所述光刻膠進行曝光顯影以形成光刻膠完全保留區域、光刻膠半保留區域和光刻膠完全去除區域，所述光刻膠完全保留區域對應于形成刻蝕阻擋層的圖形區域，所述光刻膠完全去除區域對應于形成初始過孔的圖形區域，所述光刻膠半保留區域對應于所述圖形區域之外的其它區域；對所述刻蝕阻擋層薄膜、有源層薄膜以及柵絕緣層進行刻蝕以在所述連接區域形成初始過孔，所述初始過孔貫穿所述刻蝕阻擋層薄膜、有源層薄膜的全部以及柵絕緣層的一部分；通過灰化工藝去除半保留區域的光刻膠；對所述初始過孔和刻蝕阻擋層薄膜進行刻蝕以在所述連接區域形成過孔以及在所述顯示區域形成刻蝕阻擋層。