[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410730185.1
• 申請日: 2014-12-04
• 公開（公告）號: CN104392991B
• 公開（公告）日: 2018-09-04
• 發(fā)明（設計）人: 袁廣才
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/77
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;陳源

1.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底基板的顯示區(qū)域形成柵極；

形成柵絕緣層；

通過一次構圖工藝形成包括有源層、源極和漏極的圖形，所述源極和漏極設置在所述有源層的上方；

所述通過一次構圖工藝形成包括有源層、源極和漏極的圖形的步驟包括：

形成有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜；

通過光刻工藝在所述顯示區(qū)域形成刻蝕阻擋層；

形成源漏金屬薄膜；

通過光刻工藝在所述顯示區(qū)域形成有源層、源極和漏極；

所述在襯底基板的顯示區(qū)域形成柵極的同時，在所述襯底基板的連接區(qū)域形成第一柵極金屬；

所述通過光刻工藝在所述顯示區(qū)域形成刻蝕阻擋層的同時，在所述連接區(qū)域形成過孔，所述過孔貫穿所述柵絕緣層和有源層薄膜；

所述通過光刻工藝在所述顯示區(qū)域形成有源層、源極和漏極的同時，在所述連接區(qū)域形成第一源漏極金屬，所述第一源漏極金屬通過所述過孔與所述第一柵極金屬電連接。

2.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述通過光刻工藝在所述顯示區(qū)域形成刻蝕阻擋層，以及在所述連接區(qū)域形成過孔的步驟包括：

在所述刻蝕阻擋層薄膜上涂敷光刻膠，采用半色調或灰色調掩膜板對所述光刻膠進行曝光顯影以形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域，所述光刻膠完全保留區(qū)域對應于形成刻蝕阻擋層的圖形區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)域對應于形成初始過孔的圖形區(qū)域，所述光刻膠半保留區(qū)域對應于所述圖形區(qū)域之外的其它區(qū)域；

對所述刻蝕阻擋層薄膜、有源層薄膜以及柵絕緣層進行刻蝕以在所述連接區(qū)域形成初始過孔，所述初始過孔貫穿所述刻蝕阻擋層薄膜、有源層薄膜的全部以及柵絕緣層的一部分；

通過灰化工藝去除半保留區(qū)域的光刻膠；

對所述初始過孔和刻蝕阻擋層薄膜進行刻蝕以在所述連接區(qū)域形成過孔以及在所述顯示區(qū)域形成刻蝕阻擋層。

3.一種陣列基板，其特征在于，包括襯底基板，所述襯底基板包括顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域上設置有柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極，所述源極和漏極完全位于所述有源層的上方，還設置有刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層位于所述有源層與所述源極和漏極之間，包括所述有源層、源極和漏極的圖形通過一次構圖工藝形成；

所述襯底基板還包括連接區(qū)域，所述連接區(qū)域上設置有第一柵極金屬、柵絕緣層、有源層、第一源漏極金屬和過孔，所述第一柵極金屬與所述柵極位于同一層，所述第一源漏極金屬與所述源極和漏極位于同一層，所述過孔貫穿所述柵絕緣層和有源層，所述第一源漏極金屬通過所述過孔與所述第一柵極金屬電連接。

4.根據(jù)權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述顯示區(qū)域上還設置有電容，所述電容的上極板包括像素電極或者第二源漏極金屬，所述電容的下極板包括公共電極或者第二柵極金屬，所述第二柵極金屬與所述柵極位于同一層，所述第二源漏極金屬與所述源極和漏極位于同一層。

5.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求3或4所述的陣列基板。