[發明專利]一種提高甜葉菊NaN3離體誘變突變率的方法有效
| 申請號: | 201410729720.1 | 申請日: | 2014-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN104351059B | 公開(公告)日: | 2017-09-29 |
| 發明(設計)人: | 何克勤;崔然;胡能兵 | 申請(專利權)人: | 安徽科技學院 |
| 主分類號: | A01H4/00 | 分類號: | A01H4/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 233100 安徽*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 提高 甜葉菊 nan3 誘變 突變 方法 | ||
1.一種提高甜葉菊NaN3離體誘變突變率的方法,其特征是,它包括以下技術環節:
①培養基配方:MS培養基中加入30g/L蔗糖、2mg/L誘變劑NaN3、5 g/L瓊脂和生長激素6-BA 1.0 mg/L、NAA 0.2 mg/L;
②培養基分裝: 按上述配方將配制好的培養基分裝入250ml的組織培養瓶中進行高壓滅菌,每升分裝為24瓶;
③接種:在超凈工作臺上用剪刀將甜葉菊組培苗剪為0.5 cm長短帶2葉片的莖段,用鑷子將莖段接種到培養瓶中,每瓶接種5個莖段;
④培養條件:將接種好的組培瓶放入組培室中培養,培養溫度25±1℃,光照強度1500 lx,光照時間12h/d;
⑤轉接時間:待培養基中的甜葉菊莖段頂部及莖段上兩葉片枯死時,將莖段移入不加任何激素的MS培養基中進行培養,培養條件同上;
⑥突變率檢測:莖段上腋芽恢復生長半個月后,取單株進行DNA提取和SRAP分子檢測,突變率高達55-60%。
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