[發(fā)明專利]一種測試硅錠提純工藝出成率的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410728690.2 | 申請日： | 2015-08-03 |
| 公開（公告）號： | CN104502416A | 公開（公告）日： | 2015-07-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張銀娣;楊文龍;姜大川;侯振海;盛文德;任世強;張磊;甘傳海;張曉峰;劉瑤 | 申請（專利權(quán)）人： | 青島隆盛晶硅科技有限公司 |
| 主分類號： | G01N27/04 | 分類號： | G01N27/04 |
| 代理公司： | 北京雙收知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11241 | 代理人： | 陳磊;楊金鳳 |
| 地址： | 266234 山東省*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 測試 提純 工藝 出成率 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種快速確定硅錠出成率的方法，具體來說涉及一種測試硅錠提純工藝出成率的方法。
背景技術(shù)
現(xiàn)有技術(shù)通常采用實驗室取樣送檢的方法進行硅錠出成率的測試，具體過程為：將硅錠對切后，在對切面上沿一側(cè)用鋸條切出厚度為1cm的硅錠薄板，然后按取樣位置標準，在硅錠薄板上用鋸條切出中心部位及邊緣部位的硅錠長條，在硅錠長條上標注高度，并依次用鋸條切出1cm*1cm大小的方錠，將方錠進行ICP-MA和ICP-MS檢測，每次取約12個方錠。若長晶形貌特殊，則需要增加硅錠長條的數(shù)量，進而會增加測試數(shù)量。取樣至送檢共計耗時約一天，實驗室出結(jié)果需耗時約一天。整個測試過程耗時長，并且需要大量的人力和物力；取樣過程中硅料材質(zhì)堅硬，采用鋸條取樣對鋸條損耗很大；送檢過程中，實驗室測一個方錠的成本約800元，測試費用高。
綜上所述，采用現(xiàn)有技術(shù)進行硅錠出成率的測試方法存在取樣復(fù)雜、周期長、費用高、浪費人力物力的缺點。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)測試硅錠提純工藝出成率方法存在的取樣復(fù)雜、周期長、費用高、浪費人力物力的問題，本發(fā)明提供了一種速度快，靈敏度高，費用低廉的硅錠提純工藝出成率測試方法。
為此，本發(fā)明提供了一種測試硅錠提純工藝出成率的方法，在提純后的硅錠上尋找電阻率躍變點，電阻率躍變點對應(yīng)的硅錠高度除以硅錠總高度即為硅錠提純工藝的出成率，硅錠形貌為柱狀晶。對于本發(fā)明的硅錠，其電阻率躍變點為0.05Ω·cm，電阻率大于0.05Ω·cm的硅錠為合格硅錠，純度可以達到5.5N，電阻率小于0.05Ω·cm的硅錠為非合格硅錠，純度達不到5.5N，0.05Ω·cm對應(yīng)的硅錠高度除以硅錠總高度即為硅錠提純工藝的出成率。
根據(jù)本發(fā)明，所述硅錠為長方體硅錠。
根據(jù)本發(fā)明，所述電阻率躍變點的尋找方法包括如下步驟：
1)將沿著硅錠出錠方向左后角定義為原點，將沿著硅錠出錠方向的邊定義為Y軸，將硅錠的其余兩邊分別定義為X軸和Z軸；
2)在Y軸方向上將硅錠對切，在任一對切面上沿著Y軸方向切出1cm寬的硅錠長條；
3)在硅錠長條上依次畫出1cm*1cm大小的網(wǎng)格，在網(wǎng)格內(nèi)進行電阻率的測試，找出電阻率躍變點。
根據(jù)本發(fā)明，在對切面的中間或邊緣處選取硅錠長條，硅錠長條的數(shù)量為1-2個。
根據(jù)本發(fā)明，用硅材料測試儀或電阻率測試儀測試電阻率。
本發(fā)明采用硅材料測試儀或電阻率測試儀測試硅錠電阻率，通過電阻率躍變點對應(yīng)的硅錠高度除以硅錠總高度即得出硅錠提純工藝的出成率。該方法高效便捷，可以隨時隨地進行檢測分析，擺脫了實驗室復(fù)雜的測試工序，提高了效率，僅需一臺簡單的硅材料測試儀或電阻率測試儀即可解決問題，對于定向提純來說是一種行之有效的出成率測試手段。
具體實施方式
實施例1
1)將沿著硅錠出錠方向左后角定義為原點，將沿著硅錠出錠方向的邊定義為Y軸，將硅錠的其余兩邊分別定義為X軸和Z軸；
2)在Y軸方向上將硅錠對切，在任一對切面上沿著Y軸方向切出1cm寬的硅錠長條；
3)在硅錠長條上依次畫出1cm*1cm大小的網(wǎng)格，采用硅材料測試儀在網(wǎng)格內(nèi)進行電阻率的測試，找出電阻率躍變點。電阻率測試數(shù)據(jù)如表1所示：
表1.電阻率測試數(shù)據(jù)
從表1中可以看出，220mm以下的硅錠的電阻率均大于0.05Ω·cm，硅錠純度達到5.5N，220mm以上的硅錠的電阻率均小于0.05Ω·cm，硅錠純度達不到5.5N，電阻率躍變點對應(yīng)的硅錠高度為220mm，由此計算硅錠提純工藝出成率為220/250＝88％。
驗證例1
將實施例1中的硅錠按照背景技術(shù)中介紹的實驗室取樣送檢的方法取樣，并進行ICP-MA和ICP-MS檢測，檢測結(jié)果如表2所示：
表2.ICP測試數(shù)據(jù)
由表2可知，硅錠高度220mm處為分界線，在220mm以上純度低于5.5N，在220mm以下純度達到5.5N，該結(jié)論與實施例1中電阻率測試法判斷結(jié)果一致。
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