[發明專利]一種測試硅錠提純工藝出成率的方法在審
| 申請號： | 201410728690.2 | 申請日： | 2015-08-03 |
| 公開（公告）號： | CN104502416A | 公開（公告）日： | 2015-07-29 |
| 發明（設計）人： | 張銀娣;楊文龍;姜大川;侯振海;盛文德;任世強;張磊;甘傳海;張曉峰;劉瑤 | 申請（專利權）人： | 青島隆盛晶硅科技有限公司 |
| 主分類號： | G01N27/04 | 分類號： | G01N27/04 |
| 代理公司： | 北京雙收知識產權代理有限公司 11241 | 代理人： | 陳磊;楊金鳳 |
| 地址： | 266234 山東省*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 測試 提純 工藝 出成率 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種測試硅錠提純工藝出成率的方法，其特征在于，在提純后的硅錠上尋找電阻率躍變點，電阻率躍變點對應的硅錠高度除以硅錠總高度即為硅錠提純工藝的出成率，硅錠形貌為柱狀晶。
2.如權利要求1所述的測試硅錠提純工藝出成率的方法，其特征在于，所述硅錠為長方體硅錠。
3.如權利要求2所述的測試硅錠提純工藝出成率的方法，其特征在于，電阻率躍變點的尋找方法包括如下步驟：
1)將沿著硅錠出錠方向左后角定義為原點，將沿著硅錠出錠方向的邊定義為Y軸，將硅錠的其余兩邊分別定義為X軸和Z軸；
2)在Y軸方向上將硅錠對切，在任一對切面上沿著Y軸方向切出1cm寬的硅錠長條；
3)在硅錠長條上依次畫出1cm*1cm大小的網格，在網格內進行電阻率的測試，找出電阻率躍變點。
4.如權利要求3所述的測試硅錠提純工藝出成率的方法，其特征在于，在對切面的中間或邊緣處選取硅錠長條，硅錠長條的數量為1-2個。
5.如權利要求1-4中任一項所述的測試硅錠提純工藝出成率的方法，其特征在于，用硅材料測試儀或電阻率測試儀測試電阻率。
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