[發(fā)明專利]基于憶阻器的含y方的Lu型超混沌系統(tǒng)的構(gòu)建方法及電路在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410725172.5 | 申請(qǐng)日: | 2014-12-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104468081A | 公開(kāi)(公告)日: | 2015-03-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳新華 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 吳新華 |
| 主分類號(hào): | H04L9/00 | 分類號(hào): | H04L9/00;H03K19/00 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 256603 山東省濱州*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 憶阻器 lu 混沌 系統(tǒng) 構(gòu)建 方法 電路 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種混沌系統(tǒng)及電路實(shí)現(xiàn),特別涉及一種基于憶阻器的含y方的Lu型超混沌系統(tǒng)的構(gòu)建方法及電路。
背景技術(shù)
當(dāng)前,構(gòu)造四維超混沌的方法主要是在三維混沌系統(tǒng)的基礎(chǔ)上,增加一維構(gòu)成四維超混沌系統(tǒng),憶阻器作為2008年惠普實(shí)驗(yàn)室新發(fā)現(xiàn)的物理元件,可以代替蔡氏電路中的蔡氏二極管構(gòu)成四維混沌系統(tǒng),在蔡氏電路中要構(gòu)成超混沌則需要2個(gè)憶阻元件,因此需要五維或五維以上的系統(tǒng),在具有憶阻元件的四維系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)超混沌的系統(tǒng)電路還比較少,憶阻器應(yīng)用于四維超混沌系統(tǒng)的方法還沒(méi)有被提出,這是現(xiàn)有技術(shù)的不足之處。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種基于憶阻器的含y方的Lu型超混沌系統(tǒng)的構(gòu)建方法及電路:
1.基于憶阻器的含y方的Lu型超混沌系統(tǒng)的構(gòu)建方法,其特征在于,包括以下步驟:
(1)含y方的Lu.型混沌系統(tǒng)i為:
式中x,y,z為狀態(tài)變量;
(2)本發(fā)明采用的憶阻器為磁控憶阻器模型ii為:
其0中表示磁控憶阻,表示磁通量,m,n是大于零的參數(shù);
(3)對(duì)ii的磁控憶阻器模型求導(dǎo)得憶導(dǎo)器模型iii為:
表示磁控憶導(dǎo),m,n是大于零的參數(shù);
(4)把磁控憶導(dǎo)器模型iii作為一維系統(tǒng)變量,加在含x方的Lu型混沌系統(tǒng)的第二方程上,獲得一種基于憶阻器的含x方的Lu型超混沌系統(tǒng)iv:
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