[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410724754.1
• 申請(qǐng)日: 2014-12-02
• 公開（公告）號(hào): CN105720057A
• 公開（公告）日: 2016-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙劼;鐘匯才
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號(hào): H01L27/092
• 分類號(hào): H01L27/092;H01L29/423
• 代理公司: 北京藍(lán)智輝煌知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11345
• 代理人: 陳紅

1.一種半導(dǎo)體器件，包括一個(gè)或多個(gè)FinFET反相器，每個(gè)FinFET反相器包括至少一個(gè)PFinFET和至少一個(gè)NFinFET，PFinFET和NFinFET每一個(gè)均包括：

多個(gè)鰭片結(jié)構(gòu)，在襯底之上沿第一方向延伸；

柵極，沿第二方向延伸而跨越多個(gè)鰭片結(jié)構(gòu)；

源區(qū)和漏區(qū)，分布在多個(gè)鰭片結(jié)構(gòu)中并且在柵極的兩側(cè)；

其中，PFinFET和NFinFET的柵極連接至輸入節(jié)點(diǎn)，PFinFET和NFinFET的漏區(qū)連接至輸出節(jié)點(diǎn)，PFinFET的源區(qū)連接至電源電壓，NFinFET的源區(qū)接地；

其中，PFinFET和NFinFET的襯底通過(guò)接觸孔電連接至輸入節(jié)點(diǎn)。

2.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中，多個(gè)FinFET反相器中各個(gè)PFinFET的柵極功函數(shù)相互相等或不相等，各個(gè)NFinFET的柵極功函數(shù)相互相等或不相等。

3.如權(quán)利要求2的半導(dǎo)體器件，其中，通過(guò)控制各個(gè)柵極的摻雜和/或金屬材料來(lái)調(diào)節(jié)柵極功函數(shù)。

4.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中，通過(guò)調(diào)節(jié)各個(gè)柵極的分布路線以及源漏區(qū)摻雜而調(diào)節(jié)延遲時(shí)間。