[發(fā)明專利]一種碳化硅基底上的石墨烯的層數(shù)測量方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410724610.6 | 申請日： | 2014-12-03 |
| 公開（公告）號： | CN105717148A | 公開（公告）日： | 2016-06-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 孫希鵬;杜永超;梁存寶;鐵劍銳;王鑫 | 申請（專利權(quán)）人： | 天津恒電空間電源有限公司;中國電子科技集團公司第十八研究所 |
| 主分類號： | G01N23/20 | 分類號： | G01N23/20 |
| 代理公司： | 天津市鼎和專利商標代理有限公司 12101 | 代理人： | 李鳳 |
| 地址： | 300384 天津市濱海*** | 國省代碼： | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 碳化硅 基底 石墨 層數(shù) 測量方法 | ||
1.一種碳化硅基底上的石墨烯的層數(shù)測量方法，其特征是：碳化硅基底上 的石墨烯的層數(shù)測量過程包括以下工藝步驟：
(1)利用熱解外延法在碳化硅的硅面生長出具有厚度層數(shù)的石墨烯 樣品；
(2)利用X射線光電子能譜對樣品進行測量，掃描范圍為280eV至 290eV，選取不同的光子衍射接收角θ，記錄下不同θ值所對應的XPS能 譜；
(3)利用掃描到的XPS能譜，計算284.5eV處C-C鍵中的C1s電子的 衍射光子積分強度，以及282.9eV處Si-C鍵中的C1s電子的衍射光子積 分強度；
(4)將計算得到的衍射光子積分強度帶入到衍射光子積分強度與石 墨烯厚度的函數(shù)關(guān)系式中，利用不同衍射角下的數(shù)據(jù)進行線形擬合，求 出樣品的石墨烯厚度；
(5)將計算得到的石墨烯厚度與石墨烯的原子層間距作比，得到樣 品石墨烯的層數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅基底上的石墨烯的層數(shù)測量方法，其特征 是：X射線光電子能譜對樣品進行測量時，X射線的入射角固定為45°， 每次改變的光衍射角θ是衍射光線與法線的夾角。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于天津恒電空間電源有限公司;中國電子科技集團公司第十八研究所，未經(jīng)天津恒電空間電源有限公司;中國電子科技集團公司第十八研究所許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
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