[發(fā)明專利]一種片上RAM內(nèi)建自測(cè)試方法及電路

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410723683.3
• 申請(qǐng)日: 2014-12-02
• 公開（公告）號(hào): CN104361909A
• 公開（公告）日: 2015-02-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王震;王國(guó)狀
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 大唐微電子技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G11C29/12
• 分類號(hào): G11C29/12
• 代理公司: 北京安信方達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11262
• 代理人: 李紅爽;栗若木

1.一種片上隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)內(nèi)建自測(cè)試方法，其特征在于，包括以下步驟：

配置測(cè)試的起始地址；

從所述起始地址開始，對(duì)預(yù)定范圍內(nèi)的各地址進(jìn)行下述操作：

按照地址升序，進(jìn)行寫0操作；

按照地址降序，進(jìn)行兩次讀0操作及兩次寫1操作；

按照地址升序，進(jìn)行讀1操作、寫0操作、讀0操作及寫1操作；

按照地址升序，進(jìn)行兩次寫1操作及兩次讀0操作；

按照地址升序，進(jìn)行讀0操作、寫1操作、讀1操作及寫0操作；

按照地址升序，進(jìn)行讀0操作；

在上述操作過程中，當(dāng)某個(gè)測(cè)試地址的讀出數(shù)據(jù)與期望數(shù)據(jù)不一致時(shí)，則判斷所述測(cè)試地址發(fā)生故障，待測(cè)試完成后，輸出錯(cuò)誤標(biāo)志和發(fā)生故障的測(cè)試地址。

2.如權(quán)利要求1所述的片上RAM內(nèi)建自測(cè)試方法，其特征在于：若未檢測(cè)到故障，待測(cè)試完成后，輸出正確標(biāo)志。

3.如權(quán)利要求1所述的片上RAM內(nèi)建自測(cè)試方法，其特征在于：所述按照地址降序，進(jìn)行兩次讀0操作及兩次寫1操作包括：按照地址降序，對(duì)每個(gè)地址操作順序?yàn)椋合茸x取數(shù)據(jù)，讀取結(jié)果與全0比較，再讀取數(shù)據(jù)，讀取結(jié)果與全0比較，然后對(duì)各地址寫全1，再寫全1。

4.如權(quán)利要求1所述的片上RAM內(nèi)建自測(cè)試方法，其特征在于：所述按照地址升序，進(jìn)行讀1操作、寫0操作、讀0操作及寫1操作包括：按照地址升序，對(duì)每個(gè)地址操作順序?yàn)椋合茸x數(shù)據(jù)，讀取結(jié)果與全1比較，然后對(duì)各地址寫全0，再讀取數(shù)據(jù)與全0比較，然后再寫全1。

5.如權(quán)利要求1所述的片上RAM內(nèi)建自測(cè)試方法，其特征在于：所述按照地址升序，進(jìn)行寫0操作包括：按照地址升序，對(duì)每個(gè)地址操作為：寫全0。

6.一種片上隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)內(nèi)建自測(cè)試電路，其特征在于，包括：地址配置單元、檢測(cè)單元、輸出單元，

所述地址配置單元，用于配置測(cè)試的起始地址；

所述檢測(cè)單元，用于從所述起始地址開始，對(duì)預(yù)定范圍內(nèi)的各地址進(jìn)行下述操作：按照地址升序，進(jìn)行寫0操作；按照地址降序，進(jìn)行兩次讀0操作及兩次寫1操作；按照地址升序，進(jìn)行讀1操作、寫0操作、讀0操作及寫1操作，按照地址升序，進(jìn)行兩次寫1操作及兩次讀0操作；按照地址升序，進(jìn)行讀0操作、寫1操作、讀1操作及寫0操作；按照地址升序，進(jìn)行讀0操作；在上述操作過程中，當(dāng)某個(gè)測(cè)試地址的讀出數(shù)據(jù)與期望數(shù)據(jù)不一致時(shí)，判斷所述測(cè)試地址發(fā)生故障；

所述輸出單元，用于待測(cè)試完成后，輸出錯(cuò)誤標(biāo)志和發(fā)生故障的測(cè)試地址。

7.如權(quán)利要求6所述的片上RAM內(nèi)建自測(cè)試電路，其特征在于：所述輸出單元，用于若未檢測(cè)到故障，待測(cè)試完成后，輸出正確標(biāo)志。

8.如權(quán)利要求6所述的片上RAM內(nèi)建自測(cè)試電路，其特征在于：所述按照地址降序，進(jìn)行兩次讀0操作及兩次寫1操作包括：按照地址降序，對(duì)每個(gè)地址操作順序?yàn)椋合茸x取數(shù)據(jù)，讀取結(jié)果與全0比較，再讀取數(shù)據(jù)，讀取結(jié)果與全0比較，然后對(duì)各地址寫全1，再寫全1。

9.如權(quán)利要求6所述的片上RAM內(nèi)建自測(cè)試電路，其特征在于：所述按照地址升序，進(jìn)行讀1操作、寫0操作、讀0操作及寫1操作包括：按照地址升序，對(duì)每個(gè)地址操作順序?yàn)椋合茸x數(shù)據(jù)，讀取結(jié)果與全1比較，然后對(duì)各地址寫全0，再讀取數(shù)據(jù)與全0比較，然后再寫全1。

10.如權(quán)利要求6所述的片上RAM內(nèi)建自測(cè)試電路，其特征在于：所述按照地址升序，進(jìn)行寫0操作包括：按照地址升序，對(duì)每個(gè)地址操作為：寫全0。