[發明專利]動態隨機存取存儲器有效
| 申請號: | 201410718730.5 | 申請日: | 2014-12-02 |
| 公開(公告)號: | CN105720059B | 公開(公告)日: | 2018-09-14 |
| 發明(設計)人: | 林志豪 | 申請(專利權)人: | 華邦電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/108 | 分類號: | H01L27/108 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 馬雯雯;臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 動態 隨機存取存儲器 | ||
1.一種動態隨機存取存儲器,其特征在于,包括:
基板;
多數個埋入式字線,位于所述基板內;
多數個位線,位于所述基板上橫跨所述埋入式字線;
多數個有源區,其長邊方向與所述位線的延伸方向呈現銳角θ,所述銳角θ為15°~50°,且每一個所述埋入式字線將排列在同一列的所述有源區劃分為兩個接觸區,每一個所述位線電性連接每一個所述埋入式字線兩側鄰接的所述接觸區;以及
多數個電容器,設置在所述位線之間,且每一個所述電容器電性連接每一個所述埋入式字線兩側鄰接的所述接觸區,其中
在每一個所述有源區中,所述接觸區的一個電性連接所述電容器、以及所述接觸區的另一個電性連接所述位線。
2.根據權利要求1所述的動態隨機存取存儲器,其特征在于,還包括多數個絕緣結構,位于所述埋入式字線之間。
3.根據權利要求1所述的動態隨機存取存儲器,其特征在于,還包括多數個電容器接觸窗,位于所述電容器與所述接觸區之間。
4.根據權利要求1所述的動態隨機存取存儲器,其特征在于,還包括多數個位線接觸窗,位于所述位線與所述接觸區之間。
5.根據權利要求4所述的動態隨機存取存儲器,其特征在于,在所述位線的延伸方向上的所述位線接觸窗之間的距離大于所述埋入式字線的線寬。
6.根據權利要求4所述的動態隨機存取存儲器,其特征在于,在所述位線的延伸方向上的所述位線接觸窗之間的距離小于所述埋入式字線的距離。
7.根據權利要求1所述的動態隨機存取存儲器,其特征在于,所述埋入式字線與所述位線互相垂直。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





