[發(fā)明專利]一種制備ZnO納米柵欄的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410718583.1
• 申請日: 2014-12-01
• 公開（公告）號: CN104505343A
• 公開（公告）日: 2015-04-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王亮;陸文強(qiáng);宋金會;馮雙龍;王鳳麗;李振湖
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院重慶綠色智能技術(shù)研究院
• 主分類號: H01L21/308
• 分類號: H01L21/308;C23C18/44;C23C16/40;C23C28/00;B82Y40/00
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所31219
• 代理人: 李強(qiáng)

1.一種制備ZnO納米柵欄的方法，其特征在于，包括如下步驟：(1)GaN襯底光刻；(2)襯底涂覆金催化劑反應(yīng)溶液；(3)加熱襯底，溶液收縮；(4)金從溶液中被還原出來，呈閉合環(huán)形分布；(5)用CVD法由催化劑誘導(dǎo)生長ZnO納米線柵欄。

2.一種制備ZnO納米柵欄的方法，其特征在于，包括如下步驟：首先在GaN襯底上光刻出一定樣式，然后涂覆HAuCl₄與還原劑混合水溶液，加熱襯底，待溶劑完全揮發(fā)，洗去光刻膠；將處理過的襯底放入真空管式爐中，采用用高溫化學(xué)氣相沉積方法(CVD)，在高溫管式真空爐中間放置盛有化學(xué)反應(yīng)物的舟，化學(xué)反應(yīng)物包括氧化鋅粉和石墨粉，其氣流下游位置放置襯底，然后用機(jī)械泵把真空管式爐抽真空，把真空管加熱到800-1200℃，然后通入載氣，控制壓強(qiáng)到30-400毫巴，生長時間根據(jù)所需納米線長度設(shè)定，然后讓真空管式爐自然降溫，在GaN襯底上即可制備出的氧化鋅納米線柵欄。

3.如權(quán)利要求2所述制備ZnO納米柵欄的方法，其特征在于，所述還原劑選自EG(乙二醇)、乙醇、乙醛或檸檬酸中的一種或多種。

4.如權(quán)利要求2或3所述制備ZnO納米柵欄的方法，其特征在于，所述HAuCl₄與還原劑比例當(dāng)小于化學(xué)配比，即保持還原劑過量狀態(tài)。

5.如權(quán)利要求4所述制備ZnO納米柵欄的方法，其特征在于，加熱襯底的溫度為80-100℃。

6.如權(quán)利要求4所述制備ZnO納米柵欄的方法，其特征在于，所述襯底放置于盛有化學(xué)反應(yīng)物的舟的氣流下游0-10cm范圍。

7.如權(quán)利要求4所述制備ZnO納米柵欄的方法，其特征在于，所述氧化鋅粉和石墨粉的質(zhì)量比為1:1-9:4。

8.如權(quán)利要求4所述制備ZnO納米柵欄的方法，其特征在于，所述化學(xué)反應(yīng)物包括Ga、Al、As、Sb、Cu、S、Co、Na、Ni或P摻雜元素。

9.如權(quán)利要求4所述制備ZnO納米柵欄的方法，其特征在于，所述載氣包括工作氣體和氧氣。

10.如權(quán)利要求9所述制備ZnO納米柵欄的方法，其特征在于，所述工作氣體選自氮氣，氬氣或氦氣，載氣中氧氣分壓為1-2％。