[發明專利]光學對位補償裝置、貼合度檢測裝置、蒸鍍系統及其方法在審
| 申請號: | 201410714370.1 | 申請日: | 2014-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN105702880A | 公開(公告)日: | 2016-06-22 |
| 發明(設計)人: | 林信志 | 申請(專利權)人: | 上海和輝光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/56 | 分類號: | H01L51/56;C23C14/04;C23C14/24;G01B11/02 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 李昕巍;趙根喜 |
| 地址: | 201500 上海市金山區*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光學 對位 補償 裝置 貼合 檢測 系統 及其 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種光學對位補償裝置、貼合度檢測裝置、蒸鍍系統及其方 法,尤其涉及一種用于OLED蒸鍍技術的光學對位補償裝置、貼合度檢測裝 置、蒸鍍系統及其方法。
背景技術
OLED顯示器件是基于有機材料的一種電流型半導體發光器件。其典型結 構是在含顯示線路圖案的玻璃基板上制作一多層有機發光材料,其中包含一發 光層,有機發光材料上方有一層低功函數的金屬電極。當電極上加有電壓時, 發光層就產生光輻射。OLED的發光機理和過程是從陰、陽兩極分別注入電子 和空穴,被注入的電子和空穴在有機層內傳輸,并在發光層內復合,從而激發 發光層分子產生激子,激子輻射衰減而發光。
OLED器件的制備工藝包括:玻璃基板→清洗→前處理→真空蒸鍍有機層 →真空蒸鍍電極→封裝→切割→測試→模塊組裝→產品檢驗及老化實驗等十 幾道工序。
在進行蒸鍍步驟時,OLED器件需要在高真空腔室中蒸鍍多層有機薄膜, 薄膜的質量關系到器件質量和壽命。在高真空腔室中設有多個放置有機材料的 坩堝,加熱坩堝蒸鍍有機材料,并利用石英晶體振蕩器來控制膜厚。玻璃基板 放置在托架上,其下面放置的金屬掩膜(Mask)控制蒸鍍圖案。為了能夠在 玻璃基板上得到所需蒸鍍圖案,一般需要使玻璃基板與金屬掩膜對準。同時為 了防止玻璃基板與金屬掩膜對位不準,還需要進行對位補償操作。
現有技術的對位補償的步驟如下:
1)實際蒸鍍單層有機發光材料。
2)取出基板在offlineUV光源顯微鏡下,觀察實際鍍膜位置并量測其與 目標鍍膜位置的偏移量。需量測基板多個位置,量測的數量將影響最終補償值 的準確性,但至少需量測四個角落。
3)將量測數據經過運算,可以得到金屬掩膜位置補償值offsetX,offsetY 及offsetθ。
4)在下次鍍膜前,預先將這些補償值設定并完成位移,將可以保證鍍膜 位置準確。
重復以上(1)~(4)步驟,完成各高精度金屬掩膜板(FMM)的鍍膜位置補償。
如步驟1),在每個FMM都需要進行鍍膜位置的補正,一般AMOLED 線上需要用到的FMM數量約3~6張。考量FMM使用壽命,沉積膜厚到一定 的程度時就必須下線清洗。為了符合生產需求,在一次生產中(一般周期約7 日)FMM需要準備4套FMM。因此總FMM數量會有24張。生產前需要花費 大量的時間去做金屬掩膜位置補正。并且提到每個金屬掩膜都需要實際蒸鍍材 料才能實際量測鍍膜位置,這些補正測試片量測結束,需要報廢處理,無法回 收利用。因此現有的對位補正方式,會有有機材料及基板的耗損。這些損耗將 增加生產成本。
發明內容
針對現有技術存在的問題,本發明的目的之一在于提供一種可以避免材 料及基板的損耗的光學對位補償數據獲取裝置、光學對位補償裝置及補償方 法。
本發明的另一目的在于提供一種可以檢測基板和金屬掩膜貼合度,以提高 蒸鍍精度的貼合度檢測裝置及檢測方法。
本發明的再一目的在于提供一種蒸鍍精度高、節省成本的蒸鍍系統及蒸鍍 方法。
為實現上述目的,本發明的光學對位補償數據獲取裝置,用于基板與金屬 掩膜之間的對位補償數據的獲取,所述光學對位補償數據獲取裝置包括:
一影像采集機構,用于采集所述基板與所述金屬掩膜交迭后,所述金屬掩 膜的開口以及與其對應的所述基板的像素開口的圖像;以及
一處理機構,用于根據采集的所述金屬掩膜的開口與所述基板的像素開 口的圖像得到所述金屬掩膜的開口與所述基板的像素開口間的一偏移量,計 算所述基板與所述金屬掩膜之間的一位置補償數據。
進一步,所述處理機構包括:
一獲取單元,用于根據采集的所述金屬掩膜的開口與所述基板的像素開口 的圖像獲取所述金屬掩膜的開口與所述基板的像素開口間的所述偏移量;
一計算單元,用于根據所述偏移量計算所述位置補償數據。
進一步,所述影像采集機構包括至少一組CCD陣列。
進一步,所述一組CCD陣列包括沿第一方向排列的多個CCD。
進一步,所述光學對位補償裝置還包括:
一移動機構,用于驅動所述影像采集機構移動,使所述影像采集機構能夠 采集各位置的所述金屬掩膜的開口以及與其對應的所述基板的像素開口的圖 像。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





