[發(fā)明專利]基板上形成切割道保護(hù)及其面板結(jié)構(gòu)之切割方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410711983.X | 申請日： | 2014-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN104445901A | 公開（公告）日： | 2015-03-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉忠武;莊偉仲;張俊德;郭毓弼 | 申請（專利權(quán)）人： | 業(yè)成光電（深圳）有限公司;英特盛科技股份有限公司 |
| 主分類號： | C03B33/02 | 分類號： | C03B33/02 |
| 代理公司： | 深圳市世紀(jì)恒程知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44287 | 代理人： | 胡海國 |
| 地址： | 518109 廣東省深圳市龍華新*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基板上 形成 切割 保護(hù) 及其 面板 結(jié)構(gòu) 方法 | ||
1.一種基板上形成切割道保護(hù)之方法，其特征在于，所述基板上形成切割道保護(hù)之方法包括步驟：
提供一透明基板；以及
在所述透明基板上形成一圖案化之保護(hù)材料層，
其中，所述圖案化之保護(hù)材料層系覆蓋于所述透明基板之至少一切割道上。
2.如權(quán)利要求1所述的基板上形成切割道保護(hù)之方法，其特征在于，其中所述圖案化之保護(hù)材料層系可以蒸鍍、濺鍍、噴涂或印刷其中之至少一方式形成于所述透明基板之所述至少一切割道上。
3.如權(quán)利要求2所述的基板上形成切割道保護(hù)之方法，其特征在于，其中所述圖案化之保護(hù)材料層系為蒸鍍或?yàn)R鍍方式形成時，形成所述圖案化之保護(hù)材料層之步驟還包括：
覆蓋所述保護(hù)材料層于所述透明基板上；以及
依序進(jìn)行一微影制程與一蝕刻制程，以留下所述圖案化之保護(hù)材料層，作為所述透明基板后續(xù)進(jìn)行切割時之切割道保護(hù)。
4.如權(quán)利要求3所述的基板上形成切割道保護(hù)之方法，其特征在于，其中所述微影制程還包括：
提供一罩幕層于所述保護(hù)材料層上；
利用一切割線光罩對所述罩幕層進(jìn)行曝光；以及
利用一顯影液對曝光后之所述罩幕層進(jìn)行顯影。
5.如權(quán)利要求4所述的基板上形成切割道保護(hù)之方法，其特征在于，其中所述蝕刻制程還包括：
蝕刻所述保護(hù)材料層；以及
將位于所述保護(hù)材料層之上的所述罩幕層去除，以留下所述圖案化之保護(hù)材料層。
6.如權(quán)利要求4所述的基板上形成切割道保護(hù)之方法，其特征在于，其中所述圖案化之保護(hù)材料層的樣式系對應(yīng)于所述切割線光罩之圖案。
7.如權(quán)利要求1所述的基板上形成切割道保護(hù)之方法，其特征在于，所述圖案化之保護(hù)材料層系呈一十字狀覆蓋于所述透明基板上之所述至少一切割道上。
8.如權(quán)利要求1所述的基板上形成切割道保護(hù)之方法，其特征在于，所述保護(hù)材料層之材質(zhì)系為可抗硝酸鉀之物質(zhì)。
9.如權(quán)利要求8所述的基板上形成切割道保護(hù)之方法，其特征在于，所述保護(hù)材料層之材質(zhì)系可為金屬、合金或塑膠。
10.如權(quán)利要求1所述的基板上形成切割道保護(hù)之方法，其特征在于，所述透明基板系為一玻璃基板。
11.一種利用基板上預(yù)先形成切割道保護(hù)以完成面板結(jié)構(gòu)之切割方法，其特征在于，所述利用基板上預(yù)先形成切割道保護(hù)以完成面板結(jié)構(gòu)之切割方法包括步驟：
提供一透明基板；
在所述透明基板上形成一圖案化之保護(hù)材料層，其系覆蓋于所述透明基板之至少一切割道上；
提供一透明導(dǎo)電膜，所述透明導(dǎo)電膜系覆蓋于所述透明基板上，且未與所述圖案化之保護(hù)材料層形成重疊；
依序進(jìn)行一微影制程與一蝕刻制程，以圖案化所述透明導(dǎo)電膜，并顯露出所述透明基板之所述至少一切割道；以及
在所述至少一切割道上進(jìn)行切割制程，以完成切割面板結(jié)構(gòu)。
12.如權(quán)利要求11所述的切割方法，其特征在于，所述圖案化之保護(hù)材料層系可以蒸鍍、濺鍍、噴涂或印刷其中之至少一方式形成于所述透明基板之所述至少一切割道上。
13.如權(quán)利要求12所述的切割方法，其特征在于，所述圖案化之保護(hù)材料層系為蒸鍍或?yàn)R鍍方式形成時，形成所述圖案化之保護(hù)材料層之步驟還包括：
覆蓋所述保護(hù)材料層于所述透明基板上；以及
依序進(jìn)行一微影制程與一蝕刻制程，以留下所述圖案化之保護(hù)材料層，作為所述透明基板后續(xù)進(jìn)行切割時之切割道保護(hù)。
14.如權(quán)利要求13所述的切割方法，其特征在于，所述微影制程還包括：
提供一罩幕層于所述保護(hù)材料層上；
利用一切割線光罩對所述罩幕層進(jìn)行曝光；以及
利用一顯影液對曝光后之所述罩幕層進(jìn)行顯影。
15.如權(quán)利要求14所述的切割方法，其特征在于，所述蝕刻制程還包括：
蝕刻所述保護(hù)材料層；以及
將位于所述保護(hù)材料層之上的所述罩幕層去除，以留下所述圖案化之保護(hù)材料層。
16.如權(quán)利要求11所述的切割方法，其特征在于，所述圖案化之保護(hù)材料層系呈一十字狀覆蓋于所述透明基板上之所述至少一切割道上。
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