[發明專利]制造顯示裝置的方法

有效

• 申請號: 201410710633.1
• 申請日: 2014-11-28
• 公開（公告）號: CN104681747B
• 公開（公告）日: 2018-10-12
• 發明（設計）人: 權石一;金得鐘
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓芳;譚昌馳

本發明提供一種制造顯示裝置的方法。所述方法包括：設置基底；在基底上形成半導體層；在半導體層上形成第一絕緣層；在第一絕緣層上形成金屬層；在金屬層上形成第二絕緣層；在第二絕緣層上形成蝕刻緩沖層；在蝕刻緩沖層上形成感光膜圖案；蝕刻蝕刻緩沖層以及第一絕緣層和第二絕緣層以暴露半導體層。

技術領域

本發明涉及一種制造顯示裝置的方法。

背景技術

當前受歡迎的顯示裝置包括液晶顯示器(LCD)、等離子體顯示面板(PDP)、有機發光顯示器(OLED)、場效應顯示器(FED)和電泳顯示器(EPD)。

具體地，OLED裝置包括兩個電極和設置在兩個電極之間的有機發射層。來自一個電極的電子和來自另一個電極的空穴在有機發射層中復合，從而產生釋放能量以發射光的激子。

有機發光二極管顯示器具有自發光特性，因而不需要獨立的光源，并且與液晶顯示器不同，可以減小它的厚度和重量。此外，由于有機發光二極管顯示器呈現諸如功耗低、亮度高和響應速度快的高質量特性，因此有機發光二極管顯示器作為下一代顯示裝置正在受到關注。

通過在基底上順序地堆疊半導體層、多個絕緣層和多個金屬層來形成這樣的有機發光顯示裝置。然后，可以通過蝕刻絕緣層和金屬層來形成接觸孔以暴露半導體層，半導體層可以通過接觸孔與源電極和漏電極接觸。

根據近來對高分辨率顯示裝置的需求，在有限的空間內要設置大量的像素。結果，接觸孔的寬度應當更小。

然而，在應用蝕刻工藝以形成接觸孔時，如果接觸孔的寬度比預定的水平大，則一些電極被暴露，從而發生短路或者斷開。

在該背景技術部分中公開的以上信息，只是為了增強對本發明的背景的理解，因此，以上信息可能包含不構成本領域普通技術人員已經知曉的現有技術的信息。

發明內容

本發明致力于提供一種制造顯示裝置的方法，所述方法包括形成其寬度足夠小以不暴露電極的精細接觸孔。

示例性實施例提供一種制造顯示裝置的方法，所述方法包括：設置基底；在基底上形成半導體層；在半導體層上形成第一絕緣層；在第一絕緣層上形成金屬層；在金屬層上形成第二絕緣層；在第二絕緣層上形成蝕刻緩沖層；在蝕刻緩沖層上形成感光膜圖案；蝕刻蝕刻緩沖層以及第一絕緣層和第二絕緣層以暴露半導體層。

蝕刻緩沖層可以包含Al或ITO。

蝕刻緩沖層的厚度可以在大約30nm至大約50nm的范圍內。

蝕刻步驟可以包括：第一蝕刻，蝕刻蝕刻緩沖層以暴露第二絕緣層；以及第二蝕刻，在暴露第二絕緣層之后，蝕刻第一絕緣層和第二絕緣層以暴露半導體層。

在執行第二蝕刻之前第二絕緣層的被暴露的寬度可以與在執行第二蝕刻之后半導體層的被暴露的寬度相同。

被暴露的半導體層的寬度可以在大約1.8μm至大約2.1μm的范圍內。

第一蝕刻可以執行為濕法蝕刻。

第二蝕刻可以執行為干法蝕刻。

所述制造方法還可以包括：在蝕刻之后，去除感光膜圖案。

所述制造方法還可以包括：在去除感光膜圖案之后，執行退火工藝。

所述制造方法還可以包括：在退火工藝之后，去除蝕刻緩沖層。

可以通過利用緩沖氧化物蝕刻劑(BOE)來執行蝕刻緩沖層的去除。

絕緣層和金屬層可以交替地形成為多個層。

根據本發明的示例性實施例，能夠通過形成精細接觸孔來防止由電極暴露導致的短路或斷開的發生。

附圖說明