[發(fā)明專(zhuān)利]制造顯示裝置的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410710633.1
• 申請(qǐng)日: 2014-11-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104681747B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-10-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 權(quán)石一;金得鐘
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L51/56
• 分類(lèi)號(hào): H01L51/56
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 韓芳;譚昌馳

1.一種制造顯示裝置的方法，其特征在于，所述方法包括下述步驟：

設(shè)置基底；

在基底上形成半導(dǎo)體層；

在半導(dǎo)體層上形成第一絕緣層；

在第一絕緣層上形成金屬層；

在金屬層上形成第二絕緣層；

在第二絕緣層上形成蝕刻緩沖層；

在蝕刻緩沖層上形成感光膜圖案；

蝕刻蝕刻緩沖層以及第一絕緣層和第二絕緣層以暴露半導(dǎo)體層；以及

去除蝕刻緩沖層，

其中，蝕刻步驟包括：第一蝕刻，蝕刻蝕刻緩沖層以暴露第二絕緣層；第二蝕刻，在暴露第二絕緣層之后，蝕刻第一絕緣層和第二絕緣層以暴露半導(dǎo)體層，其中，在執(zhí)行第二蝕刻之前第二絕緣層的被暴露的寬度與在執(zhí)行第二蝕刻之后半導(dǎo)體層的被暴露的寬度相同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，蝕刻緩沖層包含Al或ITO。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，蝕刻緩沖層的厚度在30nm至50nm的范圍內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，被暴露的半導(dǎo)體層的寬度在1.8μm至2.1μm的范圍內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，第一蝕刻執(zhí)行為濕法蝕刻。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，第二蝕刻執(zhí)行為干法蝕刻。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在蝕刻之后，去除感光膜圖案。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在去除感光膜圖案之后，執(zhí)行退火工藝。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，在退火工藝之后，執(zhí)行蝕刻緩沖層的去除。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，通過(guò)利用緩沖氧化物蝕刻劑來(lái)執(zhí)行蝕刻緩沖層的去除。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，第一絕緣層、第二絕緣層和金屬層交替地形成為多個(gè)層。