[發明專利]一種新型防偽標識及其制備方法有效
| 申請號: | 201410709302.6 | 申請日: | 2014-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN104464505A | 公開(公告)日: | 2015-03-25 |
| 發明(設計)人: | 杜學敏;吳天準;李騰躍;韓學寧 | 申請(專利權)人: | 中國科學院深圳先進技術研究院 |
| 主分類號: | G09F3/02 | 分類號: | G09F3/02 |
| 代理公司: | 廣州三環專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 518055 廣東省深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 新型 防偽 標識 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及防偽技術領域,具體涉及一種新型防偽標識及其制備方法。
背景技術
據《2013-2017年中國防偽行業市場前瞻與投資機會分析報告》統計,全世界受到假冒偽劣產品影響的市場達到了3000億美元,每年假冒偽劣產品的成交額已占世界貿易總額的10%。在我國,假冒偽劣產品規模是3000-4000億人民幣,特別是煙、酒、農貿、食品、化妝品等行業,已是假冒偽劣商品的重災區。所以,防偽行業已成為21世紀的朝陽產業。
目前,我國防偽行業市場容量已達到了8000億元。中國有90%以上的藥品、15%以上的食品、95%以上的煙酒產品都使用了防偽技術。前瞻產業研究院防偽行業小組分析認為由于下游市場需求旺盛,中國防偽行業容量將會進一步增大。
最近,德國先進材料(Adv.Mater.2014,DOI:10.1002/adma.201401246)報道了一種呼口氣就能夠鑒別真偽的防偽技術,可以將微柱結構做到塑料片上,平時肉眼不可見,呼口氣即可顯示隱藏的文字或圖案信息,這種隱形圖案在防偽商標制作、指紋存儲等多個領域具有潛在的應用前景,為未來新型防偽標識的開發與應用開辟了一條途徑。然而,這些防偽技術的制備過程較為復雜繁瑣,而且成本較高,限制了其應用。
發明內容
為解決上述問題,本發明旨在于提供一種新型防偽標識及其制備方法,其可制備得到隱形防偽圖案,該隱形防偽圖案在吹口氣、或遇到水或水溶液時即可顯現出來,待水分揮發后又可隱形,從而實現反復顯現與隱形。
本發明第一方面提供了一種新型防偽標識,包括防偽標識基底和隱形防偽圖案,所述隱形防偽圖案由微納材料與所述防偽標識基底構成區域差異形成,所述防偽標識基底表面包括隱形防偽圖案區域和非圖案區域,所述隱形防偽圖案區域或所述非圖案區域由微納材料在所述防偽標識基底表面形成的薄膜層構成,所述微納材料包括有機顆粒、無機顆粒、光刻膠、光敏樹脂、金屬、合金、陶瓷、聚合物、活性小分子、氧化物、硫化物、氮化物、碳化物或組成為III-V、II-IV或IV-VI族元素的二元或多元化合物,所述隱形防偽圖案在吹口氣、或遇到水或水汽時即可顯現,待水分揮發后又可隱形。
所述隱形防偽圖案的大小尺寸為微米或納米級別。
優選地,所述有機顆粒包括聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚異丙基丙烯酸酯、聚丙烯酰胺和聚丙烯酸、或其改性顆粒中的一種或多種。所述有機顆粒可采用聚合法制備得到。所述有機顆粒的粒徑范圍為5納米~50微米。
優選地,所述無機顆粒包括二氧化硅、二氧化鈦、四氧化三鐵、三氧化二鐵、金和銀、或其改性顆粒中的一種或多種。所述無機顆粒可采用溶膠凝膠法、氧化還原法或水熱法制備得到。所述無機顆粒的粒徑范圍為5納米~50微米。
優選地,所述光刻膠包括SU?8及AZ等系列光刻膠。例如可以是光敏聚酰亞胺光刻膠。所述隱形防偽圖案由光刻膠、光敏樹脂通過光刻后形成。
所述金屬、合金、陶瓷、氧化物、硫化物、氮化物、碳化物或組成為III-V、II-IV或IV-VI族元素的二元或多元化合物可通過化學沉積或物理沉積的方式在所述防偽標識基底上形成薄膜層。所述聚合物、活性小分子可通過化學沉積、物理沉積、表面改性、表面接枝的方式或結合噴墨打印、3D打印、涂覆、壓印的方法在所述防偽標識基底上形成薄膜層。所述金屬可以是金,所述陶瓷可以是摻鋁氧化鋅,所述二元化合物可以是氟碳材料,所述聚合物可以是聚二甲基硅氧烷、parylene?C(二氯聚對二甲苯),所述活性小分子可以是氯硅烷、氟硅烷,所述氧化物可以是氧化鈦、氧化鋯,所述硫化物可以是硫化鋅、所述氮化物可以是氮化硼、所述碳化物可以是氟化碳,但本發明對各種材料的選擇不局限于此,可滿足本發明要求,實現本發明的材料均可。
本發明隱形防偽圖案由微納材料與防偽標識基底構成區域差異形成,可以是將微納材料在所述隱形防偽圖案區域或在所述非圖案區域制備形成的薄膜層構成。
優選地,所述隱形防偽圖案由有機顆粒、無機顆粒、金屬、合金、陶瓷、聚合物、活性小分子、氧化物、硫化物、氮化物、碳化物或組成為III-V、II-IV或IV-VI族元素的二元或多元化合物在隱形防偽圖案區域形成的薄膜層構成。所述薄膜層的厚度為單分子層厚度或微米級別厚度。
優選地,所述防偽標識基底的材料包括塑料、橡膠、玻璃、硅片、陶瓷或金屬。
優選地,所述隱形防偽圖案采用噴墨打印、3D打印、涂覆、壓印、光刻、物理沉積、化學沉積、表面改性和表面接枝法中的一種或多種方法結合制備在所述防偽標識基底上。
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