[發明專利]電子設備及其制造方法在審
| 申請號: | 201410708719.0 | 申請日: | 2014-11-26 |
| 公開(公告)號: | CN104701281A | 公開(公告)日: | 2015-06-10 |
| 發明(設計)人: | 清水浩三;作山誠樹 | 申請(專利權)人: | 富士通株式會社 |
| 主分類號: | H01L23/48 | 分類號: | H01L23/48;H01L25/00;H01L21/60;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 康建峰;吳瓊 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子設備 及其 制造 方法 | ||
1.一種電子設備,包括:
第一電子部件,所述第一電子部件具有第一端子;
第二電子部件,所述第二電子部件具有與所述第一端子相對的第二端子;以及
接合部,所述接合部將所述第一端子與所述第二端子相接合,并且所述接合部包含在所述第一端子和所述第二端子彼此相對的方向上延伸的第一極狀化合物。
2.根據權利要求1所述的電子設備,其中,所述接合部包括覆蓋所述第一化合物的部分,所述部分包含第一元素和不同于第一元素的第二元素,所述第一化合物是包含所述第一元素和所述第二元素的金屬間化合物。
3.根據權利要求1所述的電子設備,其中,所述接合部包含第一化合物和第二極狀化合物,所述第二極狀化合物在所述第一端子與所述第二端子彼此相對的方向上延伸。
4.根據權利要求3所述的電子設備,其中,所述接合部包括覆蓋所述第一化合物和所述第二化合物的部分,所述部分包含第一元素和不同于所述第一元素的第二元素,所述第一化合物和所述第二化合物中的每一個是包含所述第一元素和所述第二元素的金屬間化合物。
5.根據權利要求1至4中任意一項所述的電子設備,還包括第一構件,所述第一構件布置在所述第一電子部件上方并且具有第一熱容量。
6.根據權利要求5所述的電子設備,其中,所述第一構件與所述第二電子部件分開。
7.根據權利要求5所述的電子設備,其中,其上方布置了所述第一構件的所述第一電子部件的熱容量大于所述第二電子部件的熱容量。
8.一種電子設備制造方法,包括:
制備具有第一端子的第一電子部件;
制備具有第二端子的第二電子部件;以及
使所述第一端子與所述第二端子彼此相對并且通過使用接合材料將所述第一端子與所述第二端子接合,
所述通過使用接合材料將所述第一端子與所述第二端子接合包括:
加熱并且熔化所述接合材料;以及
在使所述第一電子部件的溫度高于所述第二電子部件的溫度的
狀態中冷卻并且固化所述接合材料。
9.根據權利要求8所述的電子設備制造方法,還包括:在制備了具有所述第一端子的所述第一電子部件之后,在所述第一電子部件上方布置具有第一熱容量的第一構件,其中,所述通過使用接合材料將所述第一端子與所述第二端子接合包括:將其上方布置了所述第一構件的所述第一電子部件的第一端子與所述第二電子部件的第二端子接合。
10.根據權利要求9所述的電子設備制造方法,還包括:在通過使用接合材料將所述第一端子與所述第二端子接合之后去除所述第一構件。
11.根據權利要求10所述的電子設備制造方法,其中,
所述在所述第一電子部件上方布置所述第一構件包括:通過使用粘合劑將所述第一構件附接至所述第一電子部件;以及
所述去除所述第一構件包括:減弱所述粘合劑的附接力并且從所述第一電子部件去除所述第一構件。
12.根據權利要求8所述的電子設備制造方法,其中,所述冷卻并且固化所述接合材料包括:選擇性地冷卻所述第一電子部件和所述第二電子部件中的所述第二電子部件,從而使所述第一電子部件的溫度高于所述第二電子部件的溫度。
13.根據權利要求8所述的電子設備制造方法,其中,所述冷卻并且固化所述接合材料包括:選擇性地加熱所述第一電子部件和所述第二電子部件中的所述第一電子部件,從而使所述第一電子部件的溫度高于所述第二電子部件的溫度。
14.一種用于制造電子設備的設備,所述設備包括:
布置部,在所述布置部中,布置具有第一端子的第一電子部件和具有第二端子的第二電子部件,所述第一端子與所述第二端子彼此相對,接合材料在所述第一端子與所述第二端子之間;
加熱部,所述加熱部位于所述布置部的后面,在所述加熱部中,所述第一端子與所述第二端子之間的接合材料通過加熱熔化,并且所述第一端子與所述第二端子通過熔化的接合材料連接;以及
冷卻部,所述冷卻部位于所述加熱部的后面,在所述冷卻部中,在所述第一端子與所述第二端子之間熔化的接合材料通過冷卻來固化,其中,所述冷卻部包括:
第一溫度控制器,所述第一溫度控制器控制所述冷卻部中的氣氛的溫度;以及
第二溫度控制器,所述第二溫度控制器能夠選擇性地控制所述第一電子部件和所述第二電子部件中的一個的溫度。
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