[發明專利]半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201410708671.3
• 申請日: 2014-11-28
• 公開（公告）號: CN104868360B
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發明（設計）人: 津波大介;河原弘幸;柳樂崇
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01S5/34
• 分類號: H01S5/34
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

提供一種半導體裝置的制造方法，其能夠一邊抑制活性層的露出以及上部半導體層的蝕刻量，一邊將化合物半導體層的凸部去除，而不會產生問題，該半導體裝置的制造方法具有：激光部形成工序，該工序在襯底的一部分處形成激光部，該激光部具有活性層、在該成活性層上形成的上部半導體層、以及在該上部半導體層上形成的掩模；半導體層形成工序，該工序由含有In的材料形成化合物半導體層，該化合物半導體層與該激光部的側面接觸，在與該激光部接觸的部分處具有凸部；以及濕蝕刻工序，該工序通過包含氫溴酸和醋酸在內的蝕刻劑，將該凸部去除，并將該化合物半導體層平坦化。而且，通過該濕蝕刻工序，在該掩模下的該上部半導體層形成(111)A面。

技術領域

本發明涉及一種例如在光通信等中使用的半導體裝置的制造方法。

背景技術

專利文獻1公開了下述內容，即，如果在隆起條紋的左右外延生長化合物半導體層(InP掩埋層)，則會在化合物半導體層形成凸部。在專利文獻1中公開的技術是使用由鹽酸、醋酸和過氧化氫構成的蝕刻劑對該凸部進行濕蝕刻。

專利文獻1：日本特開2002－246684號公報

由于化合物半導體層的凸部使半導體裝置的特性劣化，因此，優選將其去除。該凸部能夠通過濕蝕刻進行去除。但是，存在下述問題，即，與化合物半導體層接觸并且在活性層上形成的上部半導體層通過被進行濕蝕刻，從而露出活性層。如果活性層露出，則活性層表面發生氧化而引起半導體裝置的光限制性等發生劣化。因此，在將凸部去除時，應該以活性層不露出的方式進行。另外，如果上部半導體層的蝕刻量增加，則損害光限制效果，因此，應該抑制上部半導體層的蝕刻量。

在專利文獻1所公開的技術中，在對該凸部進行濕蝕刻時，通過包層(上部半導體層)上的接觸層以及速度調整層，防止包層的蝕刻。而且，為了可靠地防止包層的蝕刻，需要將接觸層以及速度調整層的層厚加厚，存在制造成本增加的問題。并且，存在下述問題，即，摻雜于接觸層的摻雜劑由于化合物半導體層形成時的高溫而發生擴散，降低半導體裝置的特性。

另外，在專利文獻1中，為了抑制包層的蝕刻，將構成化合物半導體層的凸部的生長停止面(111)表面設為比速度調整層的上表面高。因此，存在化合物半導體層的層厚受到限定的問題。

發明內容

本發明就是為了解決上述課題而提出的，其目的在于提供一種半導體裝置的制造方法，通過該半導體裝置的制造方法，能夠一邊抑制活性層的露出以及上部半導體層的蝕刻量，一邊將化合物半導體層的凸部去除，而不會產生問題。

本申請的發明所涉及的半導體裝置的制造方法具有：激光部形成工序，在該工序中，在襯底的一部分處形成激光部，該激光部具有活性層、在該成活性層上形成的上部半導體層、以及在該上部半導體層上形成的掩模；半導體層形成工序，在該工序中，由含有In的材料形成化合物半導體層，該化合物半導體層與該激光部的側面接觸，在與該激光部接觸的部分處具有凸部；以及濕蝕刻工序，在該工序中，通過包含氫溴酸和醋酸在內的蝕刻劑，將該凸部去除，并將該化合物半導體層變平坦。而且，通過該濕蝕刻工序，在該掩模下的該上部半導體層形成(111)A面。

發明的效果

根據本發明，在濕蝕刻工序中，在上部半導體層形成(111)A面，使上部半導體層的側蝕停止，因此，能夠一邊抑制活性層的露出以及上部半導體層的蝕刻量，一邊將化合物半導體層的凸部去除。

附圖說明

圖1是表示實施方式1所涉及的激光部的剖面圖。

圖2是表示化合物半導體層的剖面圖。

圖3是濕蝕刻的中途的化合物半導體層等的剖面圖。

圖4是濕蝕刻結束時的半導體裝置的剖面圖。

圖5是表示形成接觸層后的半導體裝置的剖面圖。