[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410708671.3 | 申請日： | 2014-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN104868360B | 公開（公告）日： | 2018-06-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 津波大介;河原弘幸;柳樂崇 | 申請（專利權(quán)）人： | 三菱電機(jī)株式會社 |
| 主分類號： | H01S5/34 | 分類號： | H01S5/34 |
| 代理公司： | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;張?zhí)焓?/td> |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 激光部 化合物半導(dǎo)體層 上部半導(dǎo)體層 半導(dǎo)體裝置 凸部 形成工序 活性層 濕蝕刻 掩模 去除 制造 醋酸 半導(dǎo)體層 材料形成 側(cè)面接觸 平坦化 氫溴酸 蝕刻劑 蝕刻量 襯底 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有：
激光部形成工序，在該工序中，在襯底的一部分處形成激光部，該激光部具有活性層、在所述成活性層上形成的上部半導(dǎo)體層、以及在所述上部半導(dǎo)體層上形成的掩模；
半導(dǎo)體層形成工序，在該工序中，由含有In的材料形成化合物半導(dǎo)體層，該化合物半導(dǎo)體層與所述激光部的側(cè)面接觸，在與所述激光部接觸的部分處具有凸部；
濕蝕刻工序，在該工序中，通過包含氫溴酸和醋酸在內(nèi)的蝕刻劑，將所述凸部去除，使所述化合物半導(dǎo)體層變平坦；以及
在所述濕蝕刻工序之后將所述掩模去除，形成接觸層的工序，該接觸層將所述化合物半導(dǎo)體層和所述上部半導(dǎo)體層覆蓋，
通過所述濕蝕刻工序，在所述掩模下的所述上部半導(dǎo)體層形成(111)A面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
所述化合物半導(dǎo)體層與所述激光部的(011)面或者(0－1－1)面接觸，
所述蝕刻劑在所述氫溴酸和所述醋酸的基礎(chǔ)上，還包含氧化劑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
所述上部半導(dǎo)體層由InP形成，
所述化合物半導(dǎo)體層由InP、AlInP、InGaP、AlGaInP、InGaAsP、InAs、InGaAs、AlInAs、AlGaInAs、GaInNAs中的任意一種形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
所述掩模由在所述濕蝕刻工序中所述掩模的蝕刻速度比所述凸部的蝕刻速度慢的材料形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
所述掩模由外延層形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
在所述濕蝕刻工序之后的所述化合物半導(dǎo)體層的表面露出(100)面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
所述化合物半導(dǎo)體層構(gòu)成電流阻擋層、光調(diào)制器、光波導(dǎo)、光耦合器或者光放大器。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
所述光調(diào)制器是EA調(diào)制器或者相位調(diào)制器。
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