[發明專利]半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201410708431.3
• 申請日: 2014-11-27
• 公開（公告）號: CN105702726A
• 公開（公告）日: 2016-06-22
• 發明（設計）人: 鐘匯才;趙超;朱慧瓏
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京藍智輝煌知識產權代理事務所(普通合伙) 11345
• 代理人: 陳紅

1.一種半導體器件，包括第一器件層和位于所述第一器件層之上的第二器件層，其中第一器件層包括襯底上的第一多個鰭片結構、以及橫跨所述第一多個鰭片結構的第一柵極堆疊結構，第二器件層包括第二多個鰭片結構、以及橫跨所述第二多個鰭片結構的第二柵極堆疊結構，其中，第二多個鰭片結構的每一個第二鰭片位于第一多個鰭片結構的相鄰兩個第一鰭片之間，第二多個鰭片結構與第一柵極堆疊結構之間具有絕緣隔離層。

2.如權利要求1的半導體器件，其中，所述第二多個鰭片結構的鰭片之間的節距等于所述第一多個鰭片結構的鰭片之間的節距。

3.如權利要求1的半導體器件，其中，第二多個鰭片結構的每一個第二鰭片位于第一多個鰭片結構的相鄰兩個第一鰭片之間的正中處。

4.如權利要求1的半導體器件，其中，所述第二柵極堆疊結構與第一柵極堆疊結構垂直對準并且具有相同的節距。

5.如權利要求1的半導體器件，其中，第二柵極堆疊結構和第一柵極堆疊結構均包括各自的柵極絕緣層和柵極導電層，相鄰器件層的柵極導電層之間通過各自的柵極絕緣層而絕緣隔離。

6.如權利要求1的半導體器件，其中，半導體器件具有相互交替堆疊的多個第一器件層和多個第二器件層。

7.一種半導體器件制造方法，包括步驟：

a、在襯底上形成第一多個鰭片結構；

b、形成橫跨在第一多個鰭片結構上的第一柵極堆疊結構，與第一多個鰭片結構一起構成第一器件層；

在第二多個鰭片結構與第一柵極堆疊結構之間形成絕緣隔離層；

c、以第一柵極堆疊結構兩側的第一多個鰭片結構為種晶層，外延生長形成外延層；

d、刻蝕外延層形成第二多個鰭片結構，其中第二多個鰭片結構的每個第二鰭片在第一多個鰭片結構的相鄰兩個第一鰭片之間；

e、形成橫跨在第二多個鰭片結構上的第二柵極堆疊結構，與第二多個鰭片結構一起構成第二器件層。

8.如權利要求7的方法，其中，所述第二多個鰭片結構的鰭片之間的節距等于所述第一多個鰭片結構的鰭片之間的節距。

9.如權利要求7的方法，其中，第二多個鰭片結構的每一個第二鰭片位于第一多個鰭片結構的相鄰兩個第一鰭片之間的正中處。

10.如權利要求7的方法，其中，所述第二柵極堆疊結構與第一柵極堆疊結構垂直對準并且具有相同的節距。

11.如權利要求7的方法，其中，第二柵極堆疊結構和第一柵極堆疊結構均包括各自的柵極絕緣層和柵極導電層，相鄰器件層的柵極導電層之間通過各自的柵極絕緣層而絕緣隔離。

12.如權利要求7的方法，其中，交替循環執行步驟a至e，使得半導體器件具有相互交替堆疊的多個第一器件層和多個第二器件層。