[發(fā)明專利]套準標記及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410707589.9
• 申請日: 2014-11-27
• 公開（公告）號: CN105702662B
• 公開（公告）日: 2018-12-21
• 發(fā)明（設計）人: 鄧國貴;趙簡;林益世
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;G03F7/20;G03F9/00;H01L21/027
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227
• 代理人: 高靜;駱蘇華

本發(fā)明提供一種套準標記及其形成方法，套準標記的形成方法包括：提供襯底，在襯底的標記區(qū)中形成多個條形淺溝槽隔離結構，多個條形淺溝槽隔離結構之間的襯底用于組成第一光柵，在襯底的標記區(qū)上形成多個柵條，柵條位于相鄰兩個條形淺溝槽隔離結構之間的襯底上方，在多個柵條之間形成間隔層，多個柵條組成第二光柵。第一光柵在襯底平面上的位置和形狀與第二光柵的位置相同、形狀相似，光通過第二光柵和第一光柵之后，形成第一衍射波形和第二衍射波形能夠發(fā)生干涉形成干涉光，干涉光的振幅更大，光強更強，使光學檢測設備容易探測到干涉光的波形，并更準確獲得反應第二光柵位置的信息，對套準標記測試得到第二光柵位置結果更加精確。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體領域，具體涉及一種套準標記及其形成方法。

背景技術

在現(xiàn)有的半導體制作工藝中，通常需要在多層膜層上形成圖形，以組成具有一定功能的半導體器件。不同膜層的圖形之間具有一定的對準關系，通常采取在晶圓上形成套準標記的方法，通過所述套準標記實現(xiàn)對準。

例如，在制作晶體管的過程中，需要在柵極上方形成連通柵極的通孔，然后在通孔中形成導電插塞，以為柵極供電。通孔與柵極之間的對準精度影響晶體管的性能和良率，為此，通常在晶圓的多個位置處形成測試通孔與柵極之間套準精度的套準標記。

參考圖1，示出了現(xiàn)有技術一種套準標記的俯視圖，位于晶圓中心處與晶圓邊緣處套準標記結構相同，均包括形成在柵極所在的多晶硅層的多晶硅光柵01，以及形成在用于形成通孔的光刻膠層上的光刻膠光柵02，測量套刻精度的設備通過測量多晶硅光柵01的衍射光確定多晶硅光柵01的位置，之后通過測試多晶硅光柵01和光刻膠光柵02的套刻精度，能夠獲得通孔與柵極之間套準精度。

參考圖2，示出了圖1中，位于晶圓中心區(qū)域和邊緣區(qū)域的多晶硅光柵01的對比圖，多晶硅光柵01形成于晶圓10上，在形成多晶硅光柵01的過程中，與形成柵極的工藝同步，需要對多晶硅光柵01進行平坦化工藝。在平坦化工藝中，位于晶圓10邊緣處的多晶硅光柵01頂部被去除的較多，多晶硅光柵01較薄，多晶硅光柵01與多晶硅光柵01之間介質層05的對比度較差，這樣通過多晶硅光柵01的衍射光較弱并且衍射光的振幅較小，測量套刻精度的設備難以識別衍射光，在測量套刻精度時容易出現(xiàn)誤差，位于晶圓10邊緣處的多晶硅光柵01的套準精度測試結果與位于晶圓10中心處的多晶硅光柵01的套準精度測試結果相差較大，以此測量結果調節(jié)曝光設備和晶圓的曝光參數(shù)，容易使后續(xù)制作的晶圓中，通孔與柵極之間的對準出現(xiàn)誤差。

發(fā)明內容

本發(fā)明解決的問題是提供一種套準標記及其形成方法，提高套準標記的測試精度。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種套準標記的形成方法，包括：

提供襯底，所述襯底包括標記區(qū)；

在所述標記區(qū)的襯底中形成多個條形淺溝槽隔離結構，所述多個條形淺溝槽隔離結構之間的襯底用于組成第一光柵，所述多個條形淺溝槽隔離結構作為第一光柵的狹縫；

在所述標記區(qū)的襯底上形成多個柵條，所述柵條位于相鄰兩個條形淺溝槽隔離結構之間的襯底上方，在所述多個柵條之間形成間隔層，所述間隔層位于條形淺溝槽隔離結構上方，所述多個柵條組成第二光柵，所述多個柵條之間的間隔層作為第二光柵的狹縫。

可選的，所述襯底為硅襯底，所述條形淺溝槽隔離結構和間隔層的材料為氧化硅，所述柵條的材料為多晶硅。

可選的，所述條形淺溝槽隔離結構的厚度在0.01到0.13微米的范圍內，或者，條形淺溝槽隔離結構的厚度在0.22到0.35微米到范圍內。

可選的，在所述多個柵條之間形成間隔層的步驟包括：在所述多個柵條上覆蓋間隔材料層，對所述間隔材料層進行化學機械研磨，直到露出多個柵條的上表面，剩余位于多個柵條之間的間隔材料層形成間隔層。